数据表
双通道， 1对1
集成
差分至
电路
系统公司
LVCMOS翻译/缓冲器
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
特点
两个LVCMOS / LVTTL输出
两个差分CLKX ， nCLKx输入对
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVDS ， LVPECL ， LVHSTL ， SSTL ， HCSL
最大输出频率： 350MHz的（典型值）
输出偏斜： 60ps的（最大）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
附加相位抖动， RMS ： 0.14ps （典型值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
工作电压3.3V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
ICS83023I
ICS83023I
该ICS83023I是一款双通道， 1对1的差分至
LVCMOS译者/扇出缓冲器和MEM-
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高Perfor-的误码率
曼斯时钟解决方案，从ICS 。该differen-
TiAl基输入可以接受大多数差分信号
类型（ LVDS ， LVHSTL ， LVPECL ， SSTL和HCSL ）和
转化为两个单端LVCMOS输出。小
8引脚SOIC封装占位面积，使该器件非常适用于AP-使用
并发症有限的电路板空间。
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK0
nCLK0
CLK1
nCLK1
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
CLK0
nCLK0
nCLK1
CLK1
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
Q1
GND
Q1
ICS83023I
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米X 1.47毫米包体
男包
顶视图
83023AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
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IDT / ICS
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
1
ICS83023I
ICS83023I
电路
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
集成
ICS83023I
系统公司
D
UAL
, 1-
TO
-1
TSD
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CLK0
nCLK0
nCLK1
CLK1
GND
Q1
Q0
V
DD
输入
输入
输入
输入
动力
产量
产量
动力
TYPE
上拉
上拉
描述
INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
下拉非INVER婷差分时钟输入。
下拉非INVER婷差分时钟输入。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
V
DD
= 3.6V
23
51
51
7
最大
单位
pF
pF
kΩ
kΩ
Ω
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IDT / ICS
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
2
ICS83023I
ICS83023I
电路
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
集成
ICS83023I
系统公司
D
UAL
, 1-
TO
-1
TSD
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。功能
产物在这些条件下或任何有条件的操作
超越那些在上市系统蒸发散
DC特性
or
AC
特征
是不是暗示。暴露在绝对马克西
妈妈额定值条件下长时间可能会影响的精良
UCT可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
封装的热阻抗，
θ
JA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
正电源电流
测试条件
最低
3.0
典型
3.3
最大
3.6
20
单位
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
2.6
0.5
典型
最大
单位
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DD
/ 2 。参见参数测量部分， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
3C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
-150
-5
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
GND + 0.5
V
CMR
注1,2
注1 ：对于单端应用程序
,
最大输入电压为CLKX ， nCLKx为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
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IDT / ICS
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
3
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ICS83023I
电路
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
集成
ICS83023I
系统公司
D
UAL
, 1-
TO
-1
TSD
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
测试条件
最低
1.8
典型
350
2.1
2.4
60
500
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
400
400
55
57
ps
ps
%
%
T
ABLE
4. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
t
PD
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT
t
R
t
F
ODC
最大输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
缓冲添加剂相位抖动， RMS ;
参考相加相位抖动节
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
为100MHz ，集成范围
(637kHz-10MHz)
0.8V至2V
0.8V至2V
f
≤
166MHz
0.14
10 0
100
45
25 0
250
50
F > 166MHz的
43
50
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。参见参数测量信息。
注1 ：从差分输入交叉点V测量
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DD
/ 2 。输入时钟相位对齐。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DD
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
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ICS83023I
电路
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
集成
ICS83023I
系统公司
D
UAL
, 1-
TO
-1
TSD
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
A
DDITIVE
P
HASE
J
伊特尔
在一个特定的频带内的频谱纯度从偏移
根本相比，根本的力量
叫
dBc的相位噪声。
此值通常表示
采用相位噪声图，是最常见的情节规定
在许多应用中。相位噪声定义为比值
目前噪声功率在1Hz的乐队在指定的偏移量
从基频到的功率值
根本。这个比率表示为分贝（ dBm的）或一
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
在赫兹频带中的功率，以在基波的功率比
精神。当要求的偏移量被指定时，相位噪声
被称为
dBc的
值，这仅仅意味着dBm的在指定的
从根本上偏移。通过在频调查抖动
昆西领域，我们得到一个更好的理解它的影响
在以上的整个时间记录所希望的应用
信号。这在数学上是可以计算的预期
误码率给予了相位噪声的情节。
添加剂相位抖动
@ 100MHz的
（ 12kHz至20MHz ）
= 0.14ps典型
SSB P
HASE
N
OISE
dBc的/ H
Z
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
1k
10k
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
只读存储器
C
ARRIER
F
Characteristic低频
(H
Z
)
与大多数时序规范，相位噪声测量
ments有问题。主要问题涉及到的局限性
该设备的系统蒸发散。设备经常噪声基底
比设备的本底噪声较高。这是示出了
以上。该器件满足所显示的本底噪声，但
实际上可以更低。相位噪声是依赖于
输入信号源和测量设备。
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集成
电路
系统公司
ICS83023I
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
特点
两个LVCMOS / LVTTL输出
两个差分CLKX ， nCLKx输入对
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVDS ， LVPECL ， LVHSTL ， SSTL ， HCSL
最大输出频率： 350MHz的（典型值）
输出偏斜： 60ps的（最大）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
附加相位抖动， RMS ： 0.14ps （典型值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
工作电压3.3V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83023I是一款双通道， 1对1的差分至
LVCMOS译者/扇出缓冲器和MEM-
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高Perfor-的误码率
曼斯时钟解决方案，从ICS 。该differen-
TiAl基输入可以接受大多数差分信号
类型（ LVDS ， LVHSTL ， LVPECL ， SSTL和HCSL ）和
转化为两个单端LVCMOS输出。小
8引脚SOIC封装占位面积，使该器件非常适用于AP-使用
并发症有限的电路板空间。
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK0
nCLK0
CLK1
nCLK1
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
CLK0
nCLK0
nCLK1
CLK1
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
Q1
GND
Q1
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8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米X 1.47毫米包体
男包
顶视图
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集成
电路
系统公司
ICS83023I
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
TYPE
输入
输入
输入
输入
动力
产量
产量
动力
上拉
上拉
描述
INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CLK0
nCLK0
nCLK1
CLK1
GND
Q1
Q0
V
DD
下拉非INVER婷差分时钟输入。
下拉非INVER婷差分时钟输入。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
V
DD
= 3.6V
23
51
51
7
最大
单位
pF
pF
kΩ
kΩ
Ω
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2
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集成
电路
系统公司
ICS83023I
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。功能
产物在这些条件下或任何有条件的操作
超越那些在上市系统蒸发散
DC特性
or
AC
特征
是不是暗示。暴露在绝对马克西
妈妈额定值条件下长时间可能会影响的精良
UCT可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
正电源电流
测试条件
最低
3.0
典型
3.3
最大
3.6
20
单位
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
2.6
0.5
典型
最大
单位
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DD
/ 2 。参见参数测量部分， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
3C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
-150
-5
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
GND + 0.5
V
CMR
注1,2
注1 ：对于单端应用程序
,
最大输入电压为CLKX ， nCLKx为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
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3
REV 。 B 2006年1月18日
集成
电路
系统公司
ICS83023I
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
测试条件
最低
1.8
典型
350
2.1
2.4
60
500
为100MHz ，集成范围
(637kHz-10MHz)
0.8V至2V
0.8V至2V
f
≤
166MHz
0.14
10 0
100
45
25 0
250
50
400
400
55
57
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
4. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
t
PD
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT
t
R
t
F
ODC
最大输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
缓冲添加剂相位抖动， RMS ;
参考相加相位抖动节
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
F > 166MHz的
43
50
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。参见参数测量信息。
注1 ：从差分输入交叉点V测量
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DD
/ 2 。输入时钟相位对齐。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DD
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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集成
电路
系统公司
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D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
A
DDITIVE
P
HASE
J
伊特尔
在一个特定的频带内的频谱纯度从偏移
根本相比，根本的力量
叫
dBc的相位噪声。
此值通常表示
采用相位噪声图，是最常见的情节规定
在许多应用中。相位噪声定义为比值
目前噪声功率在1Hz的乐队在指定的偏移量
从基频到的功率值
根本。这个比率表示为分贝（ dBm的）或一
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
在赫兹频带中的功率，以在基波的功率比
精神。当要求的偏移量被指定时，相位噪声
被称为
dBc的
值，这仅仅意味着dBm的在指定的
从根本上偏移。通过在频调查抖动
昆西领域，我们得到一个更好的理解它的影响
在以上的整个时间记录所希望的应用
信号。这在数学上是可以计算的预期
误码率给予了相位噪声的情节。
添加剂相位抖动
@ 100MHz的
（ 12kHz至20MHz ）
= 0.14ps典型
SSB P
HASE
N
OISE
dBc的/ H
Z
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
1k
10k
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
只读存储器
C
ARRIER
F
Characteristic低频
(H
Z
)
与大多数时序规范，相位噪声测量
ments有问题。主要问题涉及到的局限性
该设备的系统蒸发散。设备经常噪声基底
比设备的本底噪声较高。这是示出了
以上。该器件满足所显示的本底噪声，但
实际上可以更低。相位噪声是依赖于
输入信号源和测量设备。
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集成
电路
系统公司
ICS83023I
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UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
特点
两个LVCMOS / LVTTL输出
两个差分CLKX ， nCLKx输入对
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVDS ， LVPECL ， LVHSTL ， SSTL ， HCSL
最大输出频率： 350MHz的（典型值）
输出偏斜： 60ps的（最大）
部分到部分歪斜： 500PS （最大值）
附加相位抖动， RMS ： 0.14ps （典型值）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
工作电压3.3V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83023I是一款双通道， 1对1的差分至
LVCMOS译者/扇出缓冲器和MEM-
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高Perfor-的误码率
曼斯时钟解决方案，从ICS 。该differen-
TiAl基输入可以接受大多数差分信号
类型（ LVDS ， LVHSTL ， LVPECL ， SSTL和HCSL ）和
转化为两个单端LVCMOS输出。小
8引脚SOIC封装占位面积，使该器件非常适用于AP-使用
并发症有限的电路板空间。
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK0
nCLK0
CLK1
nCLK1
Q0
P
IN
A
SSIGNMENT
CLK0
nCLK0
nCLK1
CLK1
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
Q1
GND
Q1
ICS83023I
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米X 1.47毫米包体
男包
顶视图
83023AMI
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1
REV 。 B 2006年1月18日
集成
电路
系统公司
ICS83023I
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
TYPE
输入
输入
输入
输入
动力
产量
产量
动力
上拉
上拉
描述
INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
CLK0
nCLK0
nCLK1
CLK1
GND
Q1
Q0
V
DD
下拉非INVER婷差分时钟输入。
下拉非INVER婷差分时钟输入。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
测试条件
最低
典型
4
V
DD
= 3.6V
23
51
51
7
最大
单位
pF
pF
kΩ
kΩ
Ω
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2
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集成
电路
系统公司
ICS83023I
D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。功能
产物在这些条件下或任何有条件的操作
超越那些在上市系统蒸发散
DC特性
or
AC
特征
是不是暗示。暴露在绝对马克西
妈妈额定值条件下长时间可能会影响的精良
UCT可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
正电源电流
测试条件
最低
3.0
典型
3.3
最大
3.6
20
单位
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
2.6
0.5
典型
最大
单位
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DD
/ 2 。参见参数测量部分， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
3C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
-150
-5
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
GND + 0.5
V
CMR
注1,2
注1 ：对于单端应用程序
,
最大输入电压为CLKX ， nCLKx为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
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集成
电路
系统公司
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D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
测试条件
最低
1.8
典型
350
2.1
2.4
60
500
为100MHz ，集成范围
(637kHz-10MHz)
0.8V至2V
0.8V至2V
f
≤
166MHz
0.14
10 0
100
45
25 0
250
50
400
400
55
57
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
4. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
t
PD
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
JIT
t
R
t
F
ODC
最大输出频率
传播延迟;注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
缓冲添加剂相位抖动， RMS ;
参考相加相位抖动节
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
F > 166MHz的
43
50
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。参见参数测量信息。
注1 ：从差分输入交叉点V测量
DD
输出的/ 2 。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DD
/ 2 。输入时钟相位对齐。
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DD
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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D
UAL
, 1-
TO
-1
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
A
DDITIVE
P
HASE
J
伊特尔
在一个特定的频带内的频谱纯度从偏移
根本相比，根本的力量
叫
dBc的相位噪声。
此值通常表示
采用相位噪声图，是最常见的情节规定
在许多应用中。相位噪声定义为比值
目前噪声功率在1Hz的乐队在指定的偏移量
从基频到的功率值
根本。这个比率表示为分贝（ dBm的）或一
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
在赫兹频带中的功率，以在基波的功率比
精神。当要求的偏移量被指定时，相位噪声
被称为
dBc的
值，这仅仅意味着dBm的在指定的
从根本上偏移。通过在频调查抖动
昆西领域，我们得到一个更好的理解它的影响
在以上的整个时间记录所希望的应用
信号。这在数学上是可以计算的预期
误码率给予了相位噪声的情节。
添加剂相位抖动
@ 100MHz的
（ 12kHz至20MHz ）
= 0.14ps典型
SSB P
HASE
N
OISE
dBc的/ H
Z
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
-180
-190
1k
10k
100k
1M
10M
100M
O
FFSET
F
只读存储器
C
ARRIER
F
Characteristic低频
(H
Z
)
与大多数时序规范，相位噪声测量
ments有问题。主要问题涉及到的局限性
该设备的系统蒸发散。设备经常噪声基底
比设备的本底噪声较高。这是示出了
以上。该器件满足所显示的本底噪声，但
实际上可以更低。相位噪声是依赖于
输入信号源和测量设备。
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