IXGH 28N30
IXGT 28N30
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
12
18
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
130
40
90
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
15
35
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
30
130
180
0.8
15
30
0.3
250
250
1.5
500
600
3.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
0.83 K / W
0.25
K / W
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
IXGH 28N30
IXGT 28N30
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
12
18
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
130
40
90
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
15
35
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 4.7
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
30
130
180
0.8
15
30
0.3
250
250
1.5
500
600
3.0
S
pF
pF
pF
nC
nC
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ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
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mJ
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
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0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
g
fs
C
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C
OES
C
水库
Q
g
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t
D（上）
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关闭
t
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R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
0.83 K / W
0.25
K / W
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
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2
C
D
E
E
1
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H
L
L1
L2
L3
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毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
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1.40
1.00
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英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
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.75
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.736 .752
.094 .106
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.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
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5,381,025
2-2
QQ：2880707522 复制
