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K9K8G08U1A
K9F4G08U0A
NAND闪存技术说明
（续）
擦除流程图
开始
写60H
写块地址
写D0H
读状态寄存器
初步
FL灰内存
阅读流程图
开始
写00H
写地址
写30H
读数据
ECC代
I / O 6 = 1 ？
或R / B = 1 ？
是的
No
No
擦除错误
*
收回错误
ECC校验
是的
页面读取完成
No
I / O 0 = 0 ？
是的
删除完成
*
：如果在错误擦除操作的结果，绘制出
发生故障的块，并与另一个块代替它。
替换块
1st
(n-1)th
第n
（页）
{
{
A座
1
发生错误。
缓冲存储器控制器。
B座
2
1st
(n-1)th
第n
（页）
*第一步
擦除或编程操作过程中阻止'A'的第n个页面时发生错误。
*第二步
在所述第一数据复制 （ n-1个）个页面到另一个空闲块的同一个位置。 （块'B' ）
*第三步：
然后，在缓冲存储器中复制座“A”的第n个页面的数据块“B”的第n个页面。
*步骤4
不要通过创建一个“无效块”表或其他适当方式擦除或编程来阻止'A' 。
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