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K9K8G08U1A
K9F4G08U0A
有效的块
参数
K9F4G08U0A
K9K8G08U1A
符号
N
VB
N
VB
民
4,016
8,032*
典型值。
-
-
初步
FL灰内存
最大
4,096
8,192*
单位
块
块
记
:
1.该装置可包括初始无效块时，第一运送。附加的无效块可以发展而被使用。有效块的数目是
带有视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块。不要删除或亲
克工厂标记为坏块。参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2. 1号地块，这是摆在00H块地址，保证是一个有效的数据块到1K编程/擦除周期，位/ 512字节的ECC 。
3.有效块的数目是单平面的操作的基础上，并且这可以用两个平面操作降低。
*：在K9K8G08U1A每个K9F4G08U0A芯片具有最高可80无效块。
AC测试条件
（ K9XXG08UXA - XCB0 ：T已
A
= 0 70 ° C， K9XXG08UXA - XIB0 ：T已
A
= -40到85°C ， K9XXG08UXA ： VCC = 2.7V 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
K9XXG08UXA
0V至Vcc
5ns
Vcc/2
1 TTL门和CL = 50pF的
电容
(
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
X
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
X
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
WP
X
X
H
H
H
X
X
H
H
L
0V/V
CC
(2)
读取模式
写模式
数据输入
数据输出
在读（忙）
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
待用
模式
命令输入
地址输入（ 5clock ）
命令输入
地址输入（ 5clock ）
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
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