初步电气特性
0
SD_CKE
D1
D3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
A[23:0]
D2
ROW
COLUMN
D4
SD_SRAS
D2
D4
SD_CAS
1
D4
D2
SDWE
D5
D6
D[31:0]
D2
RAS [1：0 ]
D2
D4
CAS号[3：0 ]
ACTV
1
NOP
读
NOP
NOP
PALL
DACR [ CASL ] = 2
图14. SDRAM的读周期
表13. SDRAM时序
NUM
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
D8
2
1
特征
CLKOUT高到SDRAM的地址有效
CLKOUT高到SDRAM控制有效
CLKOUT高到SDRAM的地址无效
CLKOUT高到SDRAM控制无效
SDRAM数据有效到CLKOUT高
CLKOUT高到SDRAM数据无效
CLKOUT高到SDRAM数据有效。
CLKOUT高到SDRAM数据无效
符号
t
CHDAV
t
CHDCV
t
CHDAI
t
CHDCI
t
DDVCH
t
CHDDI
t
CHDDVW
t
CHDDIW
民
—
—
1.5
1.5
4
1.5
—
1.5
最大
9
9
—
—
—
—
9
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
D7和D8只用于写入周期。
图15
示出了SDRAM的写周期。
MCF523x集成的微处理器硬件规范，第2版
飞思卡尔半导体公司
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