电气特性
5.3
ESD保护
表6. ESD保护特性
1, 2
特征
ESD目标的人体模型
1
2
符号
HBM
价值
2000
单位
V
所有的ESD测试符合CDF- AEC -Q100应力测试标准汽车
级集成电路。
一个设备被定义为失败，如果暴露在ESD脉冲后，该设备不再符合
设备规格要求。完整的直流参数测试和功能测试是
每适用的设备规格在室温下进行，随后用热水
温度，除非特定网络连接的设备特定网络阳离子否则主编。
5.4
DC电气规格
表7. DC电气规格
特征
符号
IV
DD
PLLV
DD
EV
DD
SDV
DD
1.70
2.25
3.0
USBV
DD
EV
IH
EV
IL
EV
OH
EV
OL
SDV
IH
1.35
1.7
2
SDV
IL
V
SS
– 0.3
V
SS
– 0.3
V
SS
– 0.3
SDV
OH
SDV
DD
– 0.35
2.1
2.4
—
—
—
0.45
0.8
0.8
V
3.0
2
V
SS
– 0.3
EV
DD –
0.4
—
1.95
2.75
3.6
3.6
EV
DD
+ 0.3
0.8
—
0.4
V
V
V
V
V
V
SDV
DD
+
0.3
SDV
DD
+
0.3
SDV
DD
+
0.3
V
民
1.4
1.4
3.0
最大
1.6
1.6
3.6
单位
V
V
V
V
核心供电电压
PLL供电电压
CMOS垫电源电压
SDRAM和的FLEXBus电源电压
移动DDR /公车垫电源电压（标称1.8V ）
DDR /公车垫电源电压（标称2.5V ）
SDR /公车垫电源电压（标称值为3.3V ）
USB电源电压
CMOS输入高电压
CMOS输入低电压
CMOS输出高电压
I
OH
= -5.0毫安
CMOS输出低电压
I
OL
= 5.0毫安
SDRAM和的FLEXBus输入高电压
移动DDR /总线输入高电压（标称1.8V ）
DDR /公车垫电源电压（标称2.5V ）
SDR /公车垫电源电压（标称值为3.3V ）
SDRAM和的FLEXBus输入低电压
移动DDR /总线输入高电压（标称1.8V ）
DDR /公车垫电源电压（标称2.5V ）
SDR /公车垫电源电压（标称值为3.3V ）
SDRAM和的FLEXBus输出高电压
移动DDR /总线输入高电压（标称1.8V ）
DDR /公车垫电源电压（标称2.5V ）
SDR /公车垫电源电压（标称值为3.3V ）
I
OH
= -5.0毫安的所有模式
MCF537x的ColdFire
微处理器数据手册，第3
飞思卡尔半导体公司
15
