飞思卡尔半导体公司
直流输出缓冲特性 - 可编程阻抗推挽输出缓冲模式
(2.375 V
≤
VDD
≤
3.6 V ， 0 ℃，
≤
TA
≤
70 ° C，朱清= IZQ （下）（ RQ ） ）（见注1和2 ）
参数
输出逻辑低电平
输出逻辑高电平
轻负载输出逻辑低电平
轻负载输出逻辑高电平
可编程阻抗
符号
IOL
IOH
VOL
VOH
ZQ
民
（ VDDQ / 2）/
[（ RQ / 5） + 10％ ]
（ VDDQ / 2）/
[（ RQ / 5） + 10％ ]
VSS
VDDQ - 0.4
[（ RQ / 5） - 10 ％]
最大
（ VDDQ / 2）/
[（ RQ / 5） - 10 ％]
（ VDDQ / 2）/
[（ RQ / 5） - 10 ％]
0.4
VDDQ
[（ RQ / 5） + 10％ ]
单位
mA
mA
V
V
笔记
3
4
5
6
7
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注意事项：
1.预计阻抗控制模式，点至点应用中使用，驱动高阻抗输入。
2. ZQ引脚通过RQ连接到VSS用于受控阻抗模式。
3， VOL = VDDQ / 2 。
4. VOH = VDDQ / 2 。
5. IOL
≤
100
A.
6. | IOH |
≤
100
A.
7. 175
≤
RQ
≤
375.
直流输出缓冲特性 - 最小阻抗推挽输出缓冲模式
(2.375 V
≤
VDD
≤
3.6 V ， 0 ℃，
≤
TA
≤
70 ° C） （见注1和2 ）
参数
输出逻辑低电平
输出逻辑高电平
轻负载输出逻辑低电平
轻负载输出逻辑高电平
符号
VOL2
VOH2
VOL3
VOH3
民
VSS
VDDQ - 0.4
VSS
VDDQ - 0.2
最大
0.4
VDDQ
0.2
VDDQ
单位
V
V
V
V
笔记
3
4
5
6
注意事项：
1.预计推挽输出模式中总线型应用中使用，可以是串联或并联终止。符合JEDEC
标准JESD8-6 I类。
2. ZQ引脚连接到一个100
电阻到VSS ，使最小阻抗模式。
3.人工晶体
≥
8毫安。
4. | IOH |
≥
8毫安。
5. IOL
≤
100
A.
6. | IOH |
≤
100
A.
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 30 mV时， 2.375 V
≤
VDD
≤
3.6 V ， 0 ℃，
≤
TA
≤
70 ° C，周期性采样救父100 ％测试）
特征
输入电容
输入/输出电容
CK ， CK电容
符号
CIN
CI / O
CCK
典型值
3.2
3.8
3.7
最大
5
6
5
单位
pF
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
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MCM63R836MCM63R918
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