摩托罗拉
飞思卡尔半导体公司
半导体技术资料
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通过MCM63R836 / D
8M晚写HSTL
该MCM63R836 / 918是一个8M位同步后期写的快速静态RAM
旨在提供高性能的二级高速缓存和ATM交换机，
电信和其他高速内存的应用程序。该MCM63R918
（由18位组织为512K字）和MCM63R836 （组织为256K
字由36位）被制造在摩托罗拉的高性能硅栅
CMOS技术。
差分时钟（CK）的输入控制的读/写操作的时序
RAM中。在CK的上升沿;所有的地址，写使能和同步
选择注册。内部缓冲区和特殊的逻辑使内存
接受写数据CK的上升沿，一个周期的地址和控制后
信号。读出的数据也被驱动上CK的上升沿。
该内存采用HSTL输入和输出。可调整的输入跳变点（VREF ）
和输出电压（ V DDQ ）给出了在系统设计具有更大的灵活性
优化系统性能。
同步写入和字节使能允许写入单个字节或
整个单词。
输出缓冲器的阻抗是可编程的，允许输出到
匹配的电路走线可以减少信号反射的阻抗。
字节写控制
2.5 V - 5 ％至3.3 V + 10 ％工作
HSTL - I / O （ JEDEC标准JESD8-6 I级兼容）
HSTL - 用户可选的输入跳变点
HSTL - 兼容可编程阻抗输出驱动器
注册登记同步操作
边界扫描（ JTAG ） IEEE 1149.1兼容
差分时钟输入
可选的X18或X36组织
MCM63R836 / 918-3.0 = 3.0纳秒
MCM63R836 / 918-3.3 = 3.3纳秒
MCM63R836 / 918-3.7 = 3.7纳秒
MCM63R836 / 918-4.0 = 4.0纳秒
休眠模式下的操作（ ZZ引脚）
119焊球， 50密耳（1.27 MM）间距14毫米× 22毫米翻转芯片塑料
球栅阵列（ PBGA ）
MCM63R836
MCM63R918
FC封装
PBGA
CASE 999D -01
飞思卡尔半导体公司...
REV 1
10/12/00
摩托罗拉公司2000
摩托罗拉快速SRAM
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MCM63R836MCM63R918
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