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EL7532
应用信息
产品说明
的EL7532是同步的，集成FET 2A降压
调节器工作在2.5V至6V的输入。该
输出电压是用户可调的一对外部
电阻器。
内部补偿控制器，能够
仅使用两个陶瓷电容器和一个电感器，以形成一个
完整的，非常小的足迹2A的DC-DC转换器。
其中RL是电感和R的直流电阻
DSON1
PFET导通电阻，标称70mΩ在室温下
与温度系数0.2mΩ / ° C的含量。
随着输入电压逐渐降至接近或甚至低于
预置V
O
时，转换器进入100％的占空比。在这
条件下，上位PFET需要一定的最小关断
时间，如果它被关闭。这个关断时间是与输入/输出
条件。这使得占空比随机出现和
增加输出纹波有些直至100 ％的占空
比被达到。较大的输出电容可以减少
随机找纹波。用户需要验证，如果这个条件
具有整体的电路，如果接近100％上产生不良影响
占空比被预期。
启动和关机
当EN引脚连接到V
IN
和V
IN
到达
约2.4V的稳压器开始切换。该
输出电压逐渐增加，以确保适当的软
开始操作。
当EN引脚被连接到一个逻辑低电平时， EL7532是
在停机方式下。所有的控制电路和两个
MOSFET都被切断，而V
OUT
下降到零。在这种模式下，
总输入电流小于1μA。
当EN达到逻辑高电平，调节重复
启动步骤，包括软启动功能。
RSI / POR功能
当通电时，集电极开路上电复位
大约100ms的V后输出保持低电平
O
到达
预设电压。当活动喜复位信号RSI为
发行， POR立即变为低电平，并保存了
RSI的时间后，同一时期又回到低电平。该
输出电压不受影响。 （请参考定时
图）。当该功能没有被使用，将RSI
地面和留有余地的上拉电阻
4
在POR引脚。
上电复位输出也作为一个100ms的延迟电源
良好的信号时，上拉电阻
4
已安装。该
RSI管脚要直接（或间接通过一个电阻
R
5
），连接到接地此才能正常工作。
PWM工作模式
在PWM模式中，P沟道MOSFET和N沟道
MOSFET通常进行互补。当
用PMOSFET是上和NMOS场效应管时，电感器电流
线性增加。输入能量被转移到
输出并也被存储在电感器。当P沟道
MOSFET导通和关闭，电感器的N沟道MOSFET
电流线性减小，并且能量从转移
电感器的输出。因此，平均电流
通过电感器为输出电流。由于电感
和输出电容充当低通滤波器，占空比
周期比大约等于V
O
用V划分
IN
.
输出LC滤波器具有二阶效应。为了保持
转换器的稳定性，整体控制器必须
补偿。这与在内部做固定
补偿的误差放大器和PWM补偿器。
因为补偿是固定的，输入的值
和输出电容为10μF 22μF的陶瓷。该
电感器的标称值是1.8μH ， 1.5μH虽为2.2μH可
使用。
V
O
RSI
100ms
POR
民
25ns
100ms
图13. RSI & POR时序图
输出电压选择
用户可设置转换器的一个输出电压
电阻分压器，其可以基于以下来选择
公式：
R
2
-
V
O
=
0.8
×
1
+ ------
R
1
100 ％占空比操作
EL7532采用CMOS功率场效应晶体管作为内部
同步电源开关。上部开关是PMOS
和更低的开关是NMOS 。这不仅节省了开机
电容，而且可以100 ％打开上位PFET的
开关，实现了V
O
接近V
IN
。可达到的最大
V
O
是，
V
O
=
V
IN
–
(
R
L
+
R
DSON1
) ×
I
O
组件选择
由于固定的内部补偿，组件
选择范围相对狭小。我们建议10μF至22μF
多层陶瓷电容X5R或X7R评级
输入和输出电容，和1.5μH到2.2μH
电感的电感器。
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FN7435.7
2006年12月8日
