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EL7532
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
,上电复位至SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
LX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
RSI , EN ,V
O
, FB到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
PGND到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.4A
ESD分类
人体模型(每JESD22 - A114 -B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
MSOP10包(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都
在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
DC特性
V
FB
I
FB
V
IN
, V
DD
V
IN,关
V
IN, ON
I
DD
V
DD
= V
IN
= V
EN
= 3.3V , C1 = C2 = 10μF , L =值是1.8μH ,V
O
= 1.8V ,除非另有规定。
条件
典型值
最大
单位
描述
反馈输入电压
反馈输入电流
输入电压
最低电压关断
最大电压启动
电源电流
V
IN
落下
V
IN
升起
PWM ,V
IN
= V
DD
= 5V
EN = 0 ,V
IN
= V
DD
= 5V
790
800
810
250
mV
nA
V
V
V
A
A
A
°C
°C
2.5
2
2.2
400
0.1
52
35
3
牛逼上升
牛逼下降
V
EN
, V
RSI
= 0V到3.3V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 3.3V
V
FB
升起
V
FB
落下
I
SINK
= 5毫安
V
IN
= 2.5V至6V ,我
OUT
= 2A ,V
OUT
= 1.8V
V
IN
= 3.3V, V
OUT
= 1.8V ,我
OUT
= 0 2A
86
35
0.1
0.5
0.8
-1
145
130
5.5
2.2
2.4
500
1
80
65
R
DS ( ON) -PMOS
PMOS FET电阻
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
R
DS ( ON) -NMOS
NMOS FET电阻
I
LMAX
T
OT ,关
T
OT ,ON
I
EN
, I
RSI
V
EN1
, V
RSI1
V
EN2
, V
RSI2
V
POR
电流限制( GBD )
过温阈值( GBD )
过温迟滞( GBD )
EN , RSI电流
EN , RSI上升阈值
EN , RSI下降阈值
最小V
FB
对于POR , WRT目标
V
FB
价值
上电复位电压降
线路调整( GBD )
负载调整率( GBD )
1
2.4
V
V
V
95
%
%
V
OLPOR
V
LINEREG
V
LOADREG
70
mV
%/V
%
AC特性
F
PWM
t
RSI
t
SS
t
POR
PWM开关频率
RSI最小脉冲宽度( GBD )
软启动时间( GBD )
上电复位延迟时间( GBD )
80
通过设计保证
1.35
1.5
25
650
100
120
1.65
50
兆赫
ns
s
ms
GBD =设计保证
2
FN7435.7
2006年12月8日

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