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麦克雷尔INC 。
MIC2130/1
V
OUTpk
PK
≈
I
纹波
ESR
+
14 244
4
3
ESR
噪音
应用信息
被动元件选型指南
在功率MOSFET的转换损耗没有定义
由电感值。然而，电感值是
负责的脉动电流引起的一些
的电阻性损耗。这些损耗正比于
I
RIPPLE2
。最大限度地降低电感纹波电流，因此
降低电阻损耗，并且可以通过以下方式实现
选择更大的值的电感。这通常
通过减小RMS电流流提高效率
在所有功率组件。的实际值
电感是由空间的限制，真正的RMS定义
评级（我
RMS
）及饱和电流（I
SAT
）可用
电感器。如果我们看一下新的扁平线电感，
这些具有较高的饱和电流额定值比
RMS额定电流为较低的值，并作为电感
值的增加，这些数字得到价值接近。这
反映在转炉发生与我有什么
SAT
类似的最大峰值开关电流和予
RMS
类似的输出电流。随着电感增加，因此
I
SWITCHpk
趋向于我
OUT
。这是一种特性，即
使得这些类型的电感优化的高使用
电源降压转换器，如MIC2130 / 31 。
确定余
SAT
我
RMS
电感器的等级，我们
应从纹波电流的标称值。这
通常应该不会比我多
输出（最大）
/ 2 ，以减少
MOSFET的损耗，由于纹波电流前面提到的。
因此：
L
民
~ 2
V
O
I
O
F
开关
V
O
1
V
效率
IN
I
纹波
T
ON
2
C
OUT
14 244
4
3
电容
噪音
如果因此，需要的是对于低输出电压噪声
（例如，在低输出电压转换器），V
OUT
纹波
可以直接通过增加电感值，输出减少
电容值或降低ESR 。
对于钽电容， ESR通常>40mΩ这
通常使利用循环更容易稳定
零极点（II型）补偿器。
由于多层陶瓷的诸多优点
电容器，其中，成本，体积，纹波等级和
血沉，它可以是有用的，以在许多情况下，使用这些。
然而，一个缺点是对CV产物。这是
比钽低。 1钽和1的混合物
陶瓷可以是一个很好的妥协仍然可以利用
简单的II型补偿器。
与陶瓷输出电容器只，双刀，
需要双零点（类型III）的补偿器，以确保
系统的稳定性。环路补偿中描述
后面更详细的数据表。
确保RMS纹波电流额定值的电容
上面我
纹波
0.6以提高可靠性。
输入电容的选择
输入滤波器需要提供负载电流时的
高沟道FET导通，并应以纹波限制的欲望
值。了C
IN
波纹评级为一个转换器通常是
I
OUT
50 ％ / 2在最差情况下的占空比条件。
IRMS
CIN
=
I
OUT
×
D
×
(
1
D
)
IL
RMS
> 1.04 ×1
输出（最大）
IL
SAT
> 1.25 ×1
输出（最大）
所述L-选择的任何值
民
将确保这些评级
不超标。
在考虑实际价值来选择，我们需要
看纹波对其他部件的影响
的电路。所选择的电感值将有一个波纹
电流：
I
纹波
~
其中，D = V
OUT
/(V
IN
xeff ）
它是然而，同样重要的是密切解耦
功率MOSFET具有2× 10μF陶瓷电容
减少振铃和防止噪音相关问题
造成在调节器的布局问题。该
的C额定纹波
IN
因此，可以通过这些来满足
去耦电容，因为它们允许使用也许
多了一个陶瓷电容或钽电容输入的
输入电压节点去耦输入噪声和本地化
高的di / dt信号到调节器的输入。
(
1
D
)
F
开关
V
OUT
L
该值最好应保持在最低限度，内
该设计的成本和尺寸的限制，以减少
不必要的散热。
输出电容的选择
输出电容（C
OUT
）将有充分的电感器
纹波电流IL
RMS
流过它。这将创建
输出开关噪声由两个主
组件：
功率MOSFET选择
同时在该MIC2130 / 31驱动N沟道MOSFET
高侧和低侧的位置。这是因为
开关速度对于给定的RDS
ON
在N沟道
设备优于P沟道器件。
有不同的标准选择高，
低侧MOSFET和这些差异更
在低占空比，如12V至1.8V显著
转换。在这样的应用中，高侧
MOSFET必须尽可能快速切换到
尽量减少转换损耗（国崛起过程中消耗
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M9999-042108-C
2008年4月
