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麦克雷尔INC 。
在启动时，软启动MOSFET （ SS
FET
）被释放
和C
SS
开始处率dV充
SS
/dt–2A/C
SS
.
PNP晶体管的发射极（ COMP ）开始跟踪V
SS
（加一结电压
≈0.65).
时器（COMP ）下游
PWM斜坡电压在1.10V下端
开关脉冲将开始驱动功率MOSFET。
此电压上升继续在COMP引脚，直到
控制回路达到调节点。在这种软
启动期间，栅极驱动脉冲到MOSFET将
开始在最小脉冲宽度，并增加至
需要调节占空比 。 COMP电压
可以在任何地方从1.1V到2.1V对应
以0-85 ％的占空比D 。 V
SS
但是将继续
上升为PNP基极 - 发射极结变为反向
失之偏颇。 SS引脚允许上升到2.5V （ 4二极管
滴）最大允许快速响应故障情况。
在大的过流或短路情况下，即，
当检测电流限制和V
OUT
为<60 ％
标称的SS
FET
是瞬间打开。这
放电
SS
来 150mV的，在这一点上，它重新启动
软启动循环一次。在软启动，迟滞
比较器将被禁用。
占空比D可以被写在第五方面
COMP
D = （ 0.85 ）× V
COMP
- （ 0.935 ）或V
COMP
= (D + 0.935)/0.85
例如： V
IN
= 12V; V
OUT
= 3.3V ; D = V
OUT
/V
IN
= 0.275
V
COMP
= 1.424V ;即V的稳态直流值
COMP
当D = 0.275
T1是时候让V
COMP
充电到1.1V ，因此
V
SS
低于V一个二极管压降
COMP
.
T2是时候让V
COMP
充电到（ D）+（ 0.935 ） / 0.85
+ 1.1V.
软启动时间= T1 + T2
哪里
T1 = （ 1.1 - VDIODE ）乘C
SS
/ 2μA ;时间，直到输出
脉冲开始于最小占空比。
而且，
T2 = （ 1 / 0.85 ） ×深×
SS
/ 2μA ;时间，直到输出
脉冲增加到D.
在COMP引脚的补偿电容（C
COMP
=
CC1 + Cc2的图4 ），也将需要充电到
V
COMP
。这个充电时间，尽快开始为MOSFET
(SS
FET
）被释放。取决于的大小
C
COMP
时，充电时间可能大于T1 + T2 。
C
COMP
可以通过留下的SS被用于软启动帽
开路。
Tc
COMP
= （ 1 / 0.85 ） ×深×
COMP
/ 5μA ：时间，直到输出
脉冲增加到D.
MIC2130/1
保护
退出有四种不同类型的输出保护。
1.输出“硬短路”过流
2.输出“软短”过流
欠压3.输出
4.输出过压
电流限制
该MIC2130 / 31采用了RDS
ON
低侧的
MOSFET来检测过流条件。低
MOSFET被使用，因为它显示低得多
切换然后上部中寄生振荡
MOSFET。采用低侧MOSFET的RDS
ON
作为
电流检测是电路的一个很好的方法
保护。此方法将避免增加成本，电路板
采取分立的电流感应空间和功率损耗
电阻器。
硬短
一般情况下， MIC2130 / 31电流限制电路的作用是
提供一个固定的最大输出电流，直到
负载的电阻很低，以致两端的电压
不再是中规限制。在这一点（60％
标称输出电压） ，该部分采用打嗝模式。
在打嗝模式时，输出脉冲停止和软
开始盖排出和软启动模式开始。后
软起动时间，当输出电压仍60％低，
然后该过程再次重复并继续进行，直到
短路故障解除。硬件短路电流模式发起
保护下来的过大的电流流负载和
也降低了总功耗在PWM
在故障期间转换器的组件。
超柔短
在“硬件短路”模式（也称为“打嗝模式” ）
发生“软短”电流限制是为了防止
系统关机或干扰，如果过载是唯一
边际。当负载电流超过电流
限制只有几毫安很短的时间（毫秒），然后
硬短模式是不希望的。相反， “软
短“循环使用。当电流限制比较
检测过电流它，然后开始放电的SS
顶盖采用了40μA电流源。电流限制
比较得到复位每一个周期，所以如果短期仍
在下一个周期中存在那么SS上限将继续
得到释放的40μA电流源。该
COMP引脚如下SS引脚（图4）和克
控制环路将相应地降低输出电压为
只要短暂存在。所以，代替关闭
如在硬短路输出，输出的是轻轻
略微降低，直到过电流条件
中止。然而，如果该短上升至点
降低输出到60％ ，则硬短会导致。
快速迟滞控制环路（ FHyCL ）由发起
6 ％的降幅输出电压，这期间不希望
在目前的条件，因此，在FHyCL功能将
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M9999-042108-C
2008年4月
