MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
3
3
连接图
1501
3
3 1503
11
1
2
1
MMBD1501
MMBD1503
MMBD1504
MMBD1505
记号
11
MMBD1501A
13
MMBD1503A
14
MMBD1504A
15
MMBD1505A
A11
A13
A14
A15
2
1
1504 3
2NC
1
2
3 1505
SOT-23
1
2
1
2
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
200
200
1.0
2.0
-55到+150
150
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
350
357
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 5.0
A
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 300毫安
V
R
= 125 V
V
R
= 125 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 180 V
V
R
= 180 V，T
A
= 150°C
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
民
200
620
720
800
830
0.87
0.90
最大
720
830
890
930
1.1
1.15
1.0
3.0
10
5.0
4.0
单位
V
mV
mV
mV
mV
V
V
nA
A
nA
A
PF
I
R
反向电流
C
T
总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MMBD1500系列， B3版本
