MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBD1501
THRU
MMBD1505
高电导
低漏二极管
350mW
SOT-23
A
D
特点
低漏
表面贴装型封装非常适合自动插入
150℃结温
无铅涂层/符合RoHS标准（ "P"Suffix候
符合RoHS 。参见订购信息）
机械
数据
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
湿度敏感度等级1
极性：见图
重量： 0.008克（约）
C
B
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
特征
工作电压逆
直流正向电流
平均整流电流
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流@ T = 1.0S
@t=1.0ms
功耗
热阻，结
到环境
符号
V
IV
I
F
Io
i
f
i
F（浪涌）
Pd
R
θJA
TJ ，T
英镑
价值
180
600
200
700
1.0
2.0
350
357
-55到+150
o
单位
V
mA
mA
mA
A
mW
C / W
o
F
E
G
H
J
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
操作&储存温度。范围
C
注意：
1)
这些评级是基于最大。 150度C的结温
2)
这些都是稳定状态的限制。吨他的工厂应在申请咨询
涉及脉冲或低工作周期操作
电气特性@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
击穿电压
符号
B
V
民
200
620
720
800
0.83
0.87
0.9
750
850
950
1.1
1.3
1.5
最大
单位
V
mV
mV
mV
V
V
V
测试COND 。
I
R
=5.0uA
I
F
=1.0mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
I
F
=300mA
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
正向电压降
V
F
反向电流
I
R
-----
10
5.0
4
nA
uA
pF
V
R
=180V
o
V
R
= 180V牛逼
A
=150 C
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
.037
.950
.037
.950
结电容
Cj
-----
www.mccsemi.com
修改：
B
1 4
2011/04/11
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel ：
3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订： B
4 4
2011/04/11
1
MCC
特点
l
l
l
l
低漏
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MMBD1501(A)
THRU
MMBD1505(A)
高电导
低漏二极管
350mW
SOT-23
A
D
表面贴装型封装非常适合自动插入
150℃结温
高电导
o
机械数据
l
案例： SOT -23 ，模压塑料
l
码头：每MIL -STD- 202方法208
l
极性：见图
l
重量： 0.008克（约）
C
B
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
特征
工作电压逆
直流正向电流
平均整流电流
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流@ T = 1.0S
@t=1.0ms
功耗
热阻
操作&储存温度。范围
符号
V
IV
I
F
Io
i
f
i
F（浪涌）
Pd
R
TJ ，T
英镑
价值
180
600
200
700
1.0
2.0
350
357
-55到+150
o
单位
V
mA
mA
mA
A
mW
C / W
o
F
E
G
H
J
K
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
C
注意：
1)
这些评级是基于最大。 150度C的结温
2)
这些都是稳定状态的限制。吨他的工厂应在申请咨询
涉及脉冲或低工作周期操作
电气特性@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
击穿电压
符号
B
V
民
200
620
720
800
0.83
0.87
0.9
750
850
950
1.1
1.3
1.5
1.0
3.0
10
5.0
4
最大
单位
V
mV
mV
mV
V
V
V
nA
uA
nA
uA
pF
测试COND 。
I
R
=5.0uA
I
F
=1.0mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
I
F
=300mA
V
R
=125V
o
V
R
= 125V牛逼
A
=150 C
V
R
=180V
o
V
R
= 180V牛逼
A
=150 C
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
正向电压降
V
F
反向电流
I
R
-----
.037
.950
.037
.950
结电容
Cj
-----
www.mccsemi.com
MMBD1501 （ A）通MMBD1505 （A ）
反向电压Vs反向电流
BV - 3.0到100微安
V
R
- 反向电压（ V）
325
TA = 25℃
MCC
反向电流与反向电压
IR - 130 - 205伏
I
R
- 反向电流（ NA）
3
TA = 25℃
300
2
1
275
250
0
130
3
5
10
20
30
50
I
R
- 反向电流（ UA）
100
150
170
190
V
R
- 反向电压（ V）
205
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
正向电压Vs正向电流
VF - 1100微安
V
V
F
F
- 正向电压（毫伏）
正向电压Vs正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
V
F
V
F
- 正向电压（毫伏）
550
500
450
400
350
TA = 25℃
800
750
700
650
600
550
TA = 25℃
1
2
5
10
20 30
50
I
F
- 正向电流（ UA）
3
100
500
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
I
F
- 正向电流（mA ）
10
正向电压Vs正向电流
VF - 10至800毫安
V
F
- 正向电压（ V）
1.2
1.1
1
0.9
0.8
10
20
30
50
100
200 300
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
500
TA = 25℃
电容VS反向电压
VR - 0 15 V
4
电容（pF）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0
2
4
6
8
10
反向电压（ V）
12
14
15
TA = 25℃
P
D
- 功耗（MW ）
平均整流电流（IO ） &
正向电流（I
F
）与
环境温度（T
A
)
500
I - 电流（mA）
400
300
200
100
0
I
R
-F
OR
WA
RD
功率降额曲线
500
400
300
200
100
0
SOT- 23 PKG
DO- 35 PKG
CU
RR
EN
T
ST
木卫一 - 一个
VER
AGE
REC
TIFIE
D
EA
DY
ST
AT
E
A
CUR
任
T-M
A
-m
0
50
100
150
T
A
- 环境温度（
o
C)
0
50
100
150
I
O
- 的平均温度（
o
C)
200
www.mccsemi.com
MMBD1501 （ A）通MMBD1505 （A ）
MCC
连接图
3
1501
3
3
1503
11
1
2
1
2 NC
3
1
3
2
1504
1505
MMBD1501
MMBD1503
MMBD1504
MMBD1505
记号
11 MMBD1501A
13 MMBD1503A
14 MMBD1504A
15 MMBD1505A
1
2
1
2
A11
A13
A14
A15
www.mccsemi.com
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
分立功率&信号
技术
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
3
连接图
3
1
11
2
1501
3
3
1503
1
2 NC
3
1
3
2
2
SOT-23
1
MMBD1501
MMBD1503
MMBD1504
MMBD1505
记号
11
MMBD1501A
13
MMBD1503A
14
MMBD1504A
15
MMBD1505A
1504
A11
A13
A14
A15
1505
1
2
1
2
高电导率低漏二极管
从过程1L来源。
绝对最大额定值*
符号
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
F（浪涌）
工作电压逆
平均整流电流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
180
200
600
700
1.0
2.0
-55到+150
150
单位
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
MMBD1501 / A / 1503至1505年/ A *
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在玻璃环氧树脂印刷电路板1.6" X 1.6" X 0.06" ;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
1997仙童半导体公司
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
高电导率低漏二极管
（续）
电气特性
符号
B
V
I
R
TA = 25° C除非另有说明
参数
击穿电压
反向电流
测试条件
I
R
= 5.0
A
V
R
= 125 V
V
R
= 125 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 180 V
V
R
= 180 V，T
A
= 150°C
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 300毫安
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
民
200
最大
1.0
3.0
10
5.0
720
830
890
930
1.1
1.15
4.0
单位
V
nA
A
nA
A
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
V
F
正向电压
620
720
800
830
0.87
0.9
C
O
二极管电容
典型特征
反向电压Vs反向电流
BV - 3.0到100微安
V
R
- 反向电压（ V）
325
TA = 25℃
反向电流与反向电压
IR - 130 - 205伏
I
R
- 反向电流（ NA）
3
TA = 25℃
300
2
1
275
0
130
250
3
5
10
20
30
50
I
R
- 反向电流（ UA）
100
150
170
190
V
R
- 反向电压（ V）
205
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
正向电压Vs正向电流
VF - 1100微安
V
V
F
F
- 正向电压（毫伏）
正向电压Vs正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
V
F
V
F
- 正向电压（毫伏）
550
500
450
400
350
TA = 25℃
800
750
700
650
600
550
TA = 25℃
1
2
3
5
10
20 30
50
I
F
- 正向电流（ UA）
100
500
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
I
F
- 正向电流（mA ）
10
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
高电导率低漏二极管
（续）
典型特征
（续）
正向电压Vs正向电流
VF - 10至800毫安
V
F
- 正向电压（ V）
1.2
TA = 25℃
电容VS反向电压
VR - 0 15 V
4
电容（pF）
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0
2
4
6
8
10
反向电压（ V）
12
14
15
TA = 25℃
1.1
1
0.9
0.8
10
20
30
50
100
200 300
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
500
P
D
- 功耗（MW ）
平均整流电流（IO ） &
正向电流（I
F
）与
环境温度（T
A
)
500
I - 电流（mA）
400
300
200
100
0
I
R
-F
OR
WA
RD
功率降额曲线
500
400
DO- 35 PKG
CU
RR
EN
T
300
SOT- 23 PKG
ST
木卫一 - 一个
VER
AGE
REC
TIFIE
D
EA
DY
200
ST
AT
E
A
CUR
任
T-M
A
-m
100
0
0
50
100
150
o
T
A
- 环境温度（ C）
0
50
100
150
I
O
- 的平均温度（
o
C)
200
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
3
3
连接图
1501
3
3 1503
11
1
2
1
MMBD1501
MMBD1503
MMBD1504
MMBD1505
记号
11
MMBD1501A
13
MMBD1503A
14
MMBD1504A
15
MMBD1505A
A11
A13
A14
A15
2
1
1504 3
2NC
1
2
3 1505
SOT-23
1
2
1
2
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
200
200
1.0
2.0
-55到+150
150
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
350
357
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 5.0
A
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 300毫安
V
R
= 125 V
V
R
= 125 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 180 V
V
R
= 180 V，T
A
= 150°C
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
民
200
620
720
800
830
0.87
0.90
最大
720
830
890
930
1.1
1.15
1.0
3.0
10
5.0
4.0
单位
V
mV
mV
mV
mV
V
V
nA
A
nA
A
PF
I
R
反向电流
C
T
总电容
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MMBD1500系列， B3版本
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
小信号二极管
（续）
典型特征
325
T A = 25
°
C
3
T A = 2 5
°
C
EVERSE V olta GE ，V
R
[V ]
300
已经RSE ú RRE NT ，我[ nA的]
3
5
10
20
30
50
100
R
2
275
1
250
0
V è RSE ④此T，I
R
[U A]
130
150
170
190
205
V è RS电子V LTA克E， V
R
[V ]
图1.反向电压VS反向电流
BV - 3.0到100微安
图2.反向电流与反向电压
IR - 130 - 250伏
550
TA = 25℃
°
800
TA = 25
°
C
500
正向电压，V
F
[毫伏]
750
正向电压，V
F
[V]
700
650
450
600
400
550
350
1
2
3
正向电流I
F
[UA ]
5
10
20
30
50
100
500
0.1
0.2
0.3
正向电流I
F
[马]
0.5
1
2
3
5
10
图3.正向电压随正向电流
VF - 1100微安
图4.正向电压随正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
1.20
4.0
TA = 25
°
C
1.15
TA = 25
°
C
总电容[ pF的]
3.5
正向电压，V
F
[V]
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
10
20
30
正向电流I
F
[马]
50
100
200
300
500
0
2
4
6
8
10
12
14
反向电压[ V]的
图5.正向电压随正向电流
VF - 10至800毫安
图6.总电容VS反向电压
VR - 0 15 V
MMBD1500系列， B3版本
MMBD1501 / A / 1503 / A / 1504 / A / 1505 / A
小信号二极管
（续）
典型特征
（续）
400
500
功耗，P
D
[毫瓦]
400
300
DO- 35 PKG
300
电流[mA ]
200
I
F
（一V
)
-A
V
ER
SOT- 23 PKG
200
AG
ER
E
CT
100
IF I E
DC
U
RR
EN
T-
mA
150
100
0
0
50
100
0
0
50
100
150
200
环境温度，T
A
[
°
C]
平均气温，我
O
[
°
C]
图7.平均整流电流（I
F（ AV ）
)
与环境温度（T
A
)
图8.功率降额曲线
MMBD1500系列， B3版本
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
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在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
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恕不另行通知，以便随时改进设计。
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已经停产了仙童半导体公司。
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初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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