电气特性
特征
开关特性（注3 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征（注3 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CEX
I
BL
民
-60
-60
-5.0
75
100
100
100
50
—
200
最大
-10
-50
-50
300
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
8.0
30
45
10
40
100
80
30
单位
V
V
V
nA
μA
nA
nA
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -10mA ，我
B
= 0
B
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0, T
A
= 125°C
V
CE
= -30V, V
EB （O FF ）
= -0.5V
V
CE
= -30V, V
EB （O FF ）
= -0.5V
I
C
= -100μA ，V
CE
= -10V
I
C
= -1.0mA ，V
CE
= -10V
I
C
= -10mA ，V
CE
= -10V
I
C
= -150mA ，V
CE
= -10V
I
C
= -500mA ，V
CE
= -10V
I
C
= -150mA ，我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
B
B
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
电流增益带宽积
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
C
IBO
f
T
t
关闭
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
V
V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
B
B
pF
pF
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -10V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
EB
= -2.0V ， F = 1.0MHz的，我
C
= 0
V
CE
= -20V ，我
C
= -50mA ，
F = 100MHz的
V
CC
= -30V ，我
C
= -150mA ，
I
B1
= -15mA
V
CC
= -6.0V ，我
C
= -150mA ，
I
B1
= I
B2
= -15mA
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
400
注1
350
P
D
，功耗（毫瓦）
F = 1MHz的
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
R
，反向电压（V）的
图。 2 ，典型的电容特性
电容（pF）
CIBO
科博
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1 ，最大功耗与
环境温度
DS30040牧师11 - 2
2 4
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