【MMBT2907 ， MMBT2907APNP开关晶体管PNP表面贴装硅外延PlanarTransi】,IC型号MMBT2907A,MMBT2907A PDF资料,MMBT2907A经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT2907 ， MMBT2907A

PNP

开关晶体管

PNP

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

版本2004-05-04

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

1.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.3

±0.1

TYPE

CODE

2.5

最大

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

1.9

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

= 25°C)

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

结温。 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

- V

CE0

- V

CB0

- V

EB0

合计

- I

Grenzwerte （T

= 25°C)

MMBT2907

40 V

60 V

250毫瓦

)

600毫安

800毫安

150°C

- 65…+ 150°C

MMBT2907A

60 V

特性（T

= 25°C)

分钟。

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

= 0, - V

= 50 V

MMBT2709

MMBT2709A

- I

CB0

- I

CB0

- I

CB0

- V

CESAT

- V

CESAT

- V

BESAT

- V

BESAT

–

Kennwerte （T

= 25°C)

典型值。

–

马克斯。

20 nA的

10 nA的

20 A

400毫伏

1.6 V

1.3 V

2.6 V

= 0, - V

= 50 V ，T

= 150°C

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

- I

= 500毫安， - 我

= 50毫安

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

- I

= 500毫安， - 我

= 50毫安

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。

)

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

)

）安装在交媾主板为3 mm

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

开关晶体管

MMBT2907 ， MMBT2907A

特性（T

= 25°C)

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

)

- V

= 10 V ， - 我

- 0.1毫安

- V

= 10 V ， - 我

= 1毫安

- V

= 10 V ， - 我

= 10毫安

- V

= 10 V ， - 我

= 500毫安

- V

= 10 V ， - 我

= 150毫安

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

= 20 V ， - 我

= 50 mA时， F = 100 MHz的

- V

= 10 V，I

= i

= 0中，f = 1 MHz的

- V

= 2 V，I

= i

= 0中，f = 1 MHz的

噪声系数 - Rauschzahl

- V

= 10 V ， - 我

= 100 A ，R

= 1 k,

F = 10 Hz的... 15.7千赫

切换时间 - Schaltzeiten

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

- V

= 30 V, - V

= 1.5 V

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

- V

= 30 V ， - 我

= 150毫安

- I

= - I

?? 15毫安

关闭

–

THA

–

CB0

EB0

200兆赫

–

MMBT2709

MMBT2709A

MMBT2709

MMBT2709A

MMBT2709

MMBT2709A

MMBT2709

MMBT2709A

100

Kennwerte （T

= 25°C)

典型值。

–

马克斯。

–

300

–

8 pF的

30 pF的

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

4分贝

–

45纳秒

10纳秒

40纳秒

100纳秒

80纳秒

30纳秒

420 K / W

)

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

MMBT2222 ， MMBT2222A

标记 - Stempelung

MMBT2907A = 2F MMBT2907 = （ M） 2B

）测试与脉冲吨

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

）安装在交媾主板为3 mm

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

MMBT2907 / MMBT2907A

PNP硅外延平面晶体管

用于切换自动对焦和放大器应用。

该晶体管被细分为一组

根据它的直流电流增益。如

互补型NPN晶体管

MMBT2222和MMBT2222A建议。

SOT- 23塑料包装

绝对最大额定值（T

= 25

价值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

功耗

结温

存储温度范围

符号

MMBT2907 MMBT2907A

-V

CBO

-V

首席执行官

-V

EBO

-I

合计

600

200

150

-55到+150

单位

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 23/12/2005

MMBT2907 / MMBT2907A

特点在T

= 25

参数

直流电流增益

在-I

= 0.1毫安， -V

= 10 V

在-I

= 1毫安， -V

= 10 V

在-I

= 10毫安， -V

= 10 V

在-I

= 150毫安， -V

= 10 V

在-I

= 500毫安， -V

= 10 V

收藏家Cuto FF电流

在-V

= 50 V

集电极基极击穿电压

在-I

= 10 A

集电极发射极击穿电压

在-I

= 10毫安

发射极基极击穿电压

在-I

= 10 A

集电极饱和电压

在-I

= 150毫安， -I

= 15毫安

在-I

= 500毫安， -I

= 50毫安

基本饱和电压

在-I

= 150毫安， -I

= 15毫安

在-I

= 500毫安， -I

= 50毫安

增益带宽积

在-I

= 50毫安， -V

= 20 V ， F = 100 MHz的

集电极输出电容

在-V

= 10 V ， F = 1兆赫

输入电容

在-V

= 2 V ， F = 1兆赫

200

兆赫

-V

BE （ SAT ）

-V

BE （ SAT ）

1.3

2.6

-V

CE （ SAT ）

-V

CE （ SAT ）

0.4

1.6

-V

（ BR ） EBO

MMBT2907

MMBT2907A

-V

（ BR ） CEO

-V

（ BR ） CEO

-V

（ BR ） CBO

MMBT2907

MMBT2907A

-I

CBO

-I

CBO

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

100

300

符号

分钟。

马克斯。

单位

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 23/12/2005

MMBT2907A

SOT- 23双极晶体管

晶体管（ PNP ）

特点

*功耗

0.3 W（环境温度Tamb = 25

*集电极电流

-0.6 A

*集电极 - 基极电压

（ BR ） CBO

: -60 V

*操作和存储结温范围

英镑

: -55

Cto+150

案例：模压塑料

环氧树脂： UL94V-O率阻燃

导语： MIL -STD- 202E方法208C保证

安装位置：任意

重量： 0.008克

BASE

SOT-23

集热器

机械数据

辐射源

0.006(0.15)

0.003(0.08)

0.055(1.40)

0.047(1.20)

0.043(1.10)

0.035(0.90)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

0.004(0.10)

0.000(0.00)

0.020(0.50)

0.012(0.30)

0.100(2.55)

0.089(2.25)

最大额定值和电气特性

25评分

C环境温度，除非另有规定。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％。

0.019(2.00)

0.071(1.80)

0.110(2.80)

0.118(3.00)

尺寸以英寸（毫米）

最大RATINGES

( @ T

= 25

C除非另有说明）

评级

马克斯。稳态功耗（ 1 ） @ TA = 25°C减免上述25°C

符号

英镑

价值

300

150

-55到+150

单位

马克斯。工作温度范围

存储温度范围

电气特性

( @ T

= 25

C除非另有说明）

特征

热阻结到环境

注意事项： 1，氧化铝= 0.4 * 0.3 * 0.024in.99.5 ％的氧化铝

2. "完全符合RoHS标准" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

417

单位

C / W

2007-5

电气特性

(@TA=25

C除非另有说明）

Chatacteristic

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）（IC = -10 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10uAdc ， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（ IE = -10uAdc ， IC = 0 ）

集电极截止电流（ V CE = -30Vdc ，V BE （关闭） = -5.0Vdc ）

集电极截止电流（V CB = -50Vdc ， I E = 0 ）

（V CB = -50Vdc ， I E = 0 ， TA = 125℃ ）

基本电流（ V CE = -30Vdc ，V EB （关闭） = -0.5Vdc ）

符号

民

最大

单位

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

ICEX

ICBO

-60

-5.0

-50

-0.02

-20

-50

VDC

NADC

uAdc

NADC

基本特征

直流电流增益（ I C = -0.1mAdc ， V CE = -10VDC ）

（ I C = -1.0mAdc ， V CE = -10VDC ）

（ I C = -10mAdc ， V CE = -10VDC ）

（ I C = -150mAdc ， V CE = -10VDC ）（1）

（ I C = -500mAdc ， V CE = -10VDC ）（1）

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）（IC = -150mAdc ， IB = -15mAdc ）

（ I C = -500mAdc ， I B = -50mAdc ）

基射极饱和电压（ 1 ）（IC = -150mAdc ， IB = -15mAdc ）

（ I C = -500mAdc ， I B = -50mAdc ）

VCE （ SAT ）

的hFE

100

300

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

VDC

VBE （ SAT ）

VDC

小信号特性

电流增益带宽积（ 1 ）（ 2 ）（IC = -50mAdc ， V CE = -20Vdc ， F = 100MHz时）

输出电容（V CB = -10VDC ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的）

输入阻抗（V EB = -2.0Vdc ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的）

科博

CIBO

200

8.0

兆赫

开关特性

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

＆ LT ;

注： 1.脉冲测试：脉冲宽度- 300毫秒，占空比Cycle<2.0 ％

2. f

被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一

（ V CC = -6.0Vdc ， IC = -150mAdc ，我B1 = I B2 = -15mAdc ）

（ V CC = -30Vdc ， I C = -150mAdc ，我B1 = -15mAdc ）

吨

花花公子

100

额定值和特性曲线（ MMBT2907A ）

3.0

归一化电流增益

2.0

VCE = -1.0V

VCE = -10V

TJ = 125

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

-0.1

-55

-0.2 -0.3

-0.5 -0.7

-1.0

-2.0

-3.0

-5.0 -7.0

-10

-20

-30

-50 -70

-100

-200

-300

-500

图1.直流电流增益

VCE ，集电极 - EMITTERVOLTAGE （ V）

±1.0

±0.8

±0.6

±0.4

±0.2

-0.005

IC ，集电极电流（毫安）

IC = - 1.0毫安

- 10毫安

- 100毫安

- 500毫安

-0.01

-0.02 -0.03 -0.05 -0.07 -0.1

-0.2

-0.3

-0.5 -0.7

-1.0

-2.0

-3.0

-5.0 -7.0

-10

-20

-30

-50

图2.集电极饱和区

300

200

100

7.0

5.0

3.0

-5.0 -7.0 -10

-20 -30

-50 -70 -100

2.0 V

-200 -300

-500

TD @ VBE （关闭） = 0V

500

VCC=-30V

IC/IB=10

TJ=25

T， TIME （ NS ）

300

200

100

7.0

5.0

-5.0 -7.0 -10

t's=t's-1/8tf

VCC=-30V

IC/IB=10

IB1=IB2

TJ=25

IB ，基极电流（毫安）

T， TIME （ NS ）

-20 -30

-50 -70 -100

-200 -300

-500

IC ，集电极电流（毫安）

图3.打开 - 打开时间

图4.打开 - 关闭时间

额定值和特性曲线（ MMBT2907A ）

NF ，噪声系数（dB ）

8.0

6.0

4.0

2.0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

IC = - 1.0毫安，R

=430W

- 500微安，R

=560W

- 50微安，R

=2.7kW

- 100微安，R

=1.6kW

=最佳源电阻

F = 1.0千赫

8.0

6.0

4.0

2.0

尺，电流± 增益带宽积（兆赫）

IC = - 50uA的

- 100微安

- 500微安

- 1.0毫安

0.5 1.0 2.0

5.0 10 20

50 100

100 200

500 1.0k 2.0k

5.0k 10k

20k

50k

男，频率（KHz ）

图5.Frequency影响

C，电容（pF ）

CEB

图6.Source性的影响

400

300

200

RS ，源电阻（欧姆）

7.0

5.0

3.0

2.0

-0.1

建行

100

-1.0 -2.0

VCE = -20V

TJ = 25

-0.2 -0.3 -0.5

-1.0

-2.0 -3.0 -5.0

-10

-20 -30

-5.0

-10

-20

-50 -100 -200

-500 -1000

反向电压（ V）

图7.Capacitances

-1.0

TJ = 25

V，电压（V ）

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

-0.1 -0.2

-0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20

-50 -100 -200 -500

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE （ ON） @ VCE = -10V

+0.5

系数（MV /

±0.5

±1.0

±1.5

±2.0

图8.Currunt增益带宽积

IC ，集电极电流（毫安）

QVC

对VCE （SAT）

QVB

为VBE

±2.5

-0.1 -0.2

-0.5 -1.0 -2.0

-5.0 -10 -20

-50 -100 -200 -500

IC ，集电极电流（毫安）

图9."On"电压

图10.Temperature系数

免责声明

RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利

此规范，责令改正，修改，增强或其他

变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-

lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息

包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-

这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙

n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-

我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或

使用任何产品或电路。

RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，

救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序

泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪

rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-

对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形

这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-

罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害

URES 。

SMD通用

晶体管（ PNP ）

MMBT2907A

SMD通用晶体管（ PNP ）

特点

PNP硅外延平面晶体管

开关和放大器应用

符合RoHS标准

机械数据

案例：

终端：

重量：

SOT -23 ，塑料包装

每MIL -STD- 202G ，方法208

0.008克

SOT-23

最大额定值

环境

= 25°C除非另有说明）

符号

标识代码

描述

MMBT2907A

5.0

600

250

200

500

150

-55到+150

兆赫

K / W

°C

单位

条件

-V

首席执行官

-V

CBO

-V

EBO

-I

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极 - 基极电压（发射极开路）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（直流转换）

功耗在25℃以上

跃迁频率在f = 100MHz的

从结点到环境中的自由空气

结温

存储温度范围

合计

J- á

英镑

-I

=50mA,

-V

=20V

TAITRON零部件股份有限公司

www.taitroncomponents.com

联系电话：（ 800 ） -TAITRON

传真：（ 800 ） -TAITFA

(800)-824-8766

(800)-824-8329

(661)-257-6060

(661)-257-6415

版本A / AH 2007-10-11

第1页3

SMD通用晶体管（ PNP ）

MMBT2907A

电气特性

环境

= 25°C除非另有说明）

符号

描述

分钟。

100

马克斯。

直流电流增益

100

300

0.4

1.6

1.3

2.6

8.0

100

兆赫

单位

条件

-V

=10V,

-I

=0.1mA

-V

=10V,

-I

=1mA

-V

=10V,

-I

=10mA

-V

=10V,

-I

=150mA

-V

=10V,

-I

=500mA

-V

=50V,

-V

=50V,

=0, T

=125° C

-V

=0.5V,

-V

=30V

-V

=3V,

-V

=30V

-I

=150mA,

-I

=15mA

-I

=500mA,

-I

=50mA

-I

=150mA,

-I

=15mA

-I

=500mA,

-I

=50mA

-I

=10mA,

-I

=10A,

-I

=10A,

-V

=20V,

-I

=50mA,

=100MHz

-V

=10V,

=1.0MHz,

-V

=2.0V,

=1.0MHz,

-I

=15mA

-I

=150mA

-V

=30V

-I

=15mA

-I

=150mA

-V

=6V

-I

CBO

-I

CEX

-I

BEX

-V

CESAT

-V

BESAT

-V

（ BR ） CEO

-V

（ BR ） CBO

-V

（ BR ） EBO

关闭

集电极截止电流

基极电流与反向偏置发射

连接点

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

启动时间

延迟时间

上升时间

关断时间（ TS + TF ）

贮存时间

下降时间

5.0

200

版本A / AH 2007-10-11

www.taitroncomponents.com

分页： 1 2 3

SMD通用晶体管（ PNP ）

MMBT2907A

尺寸（mm）

SOT-23

如何联系我们：

美国总部

28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162

联系电话：（ 800 ） TAITRON （ 800 ） 247-2232 （ 661 ） 257-6060

传真：（ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415

电子邮件：

taitron@taitroncomponents.com

Http://www.taitroncomponents.com

TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。

中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP

42970 MEXICO

电话： + 52-55-5560-1519

传真： + 52-55-5560-2190

TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA

RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL

电话： + 55-11-5574-7949

传真： + 55-11-5572-0052

TAITRON组件INCORPORATED上海代表处

首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国

电话： + 86-21-5424-9942

传真： + 86-21-5424-9931

版本A / AH 2007-10-11

www.taitroncomponents.com

第3页3

银河电子

PNP通用放大器

特点

外延平面模施工。

互补NPN类型可用

MMBT2222A.

适用于中等功率放大和转换。

产品规格

MMBT2907A

LEAD -FREE

应用

本设备被设计为通用放大器

和切换。

有用的动态范围扩展至600mA的开关

和100MHZ的放大器。

SOT-23

订购信息

型号

MMBT2907A

记号

封装代码

SOT-23

最大额定值

除非另有规定@ TA = 25 ℃

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

器件总功耗

热阻结到环境

结温和存储温度

价值

-60

-5

-600

300

375

-55to+150

单位

℃/W

℃

这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以是

受损。

文件编号： BL / SSSTC072

Rev.A的

www.galaxycn.com

银河电子

PNP通用放大器

电气特性

@ TA = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

符号

（ BR ） CBO

测试条件

= -10μA我

产品规格

MMBT2907A

除非另有说明

民

-60

典型值

最大

单位

集电极 - 发射极击穿电压

（ BR ） CEO

= -10mA我

-60

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

（ BR ） EBO

CBO

首席执行官

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

= -10μA我

= -50V我

=-3V

-5

-0.1

100

300

-1

-2

μV

μA

= -10V我

=-150mA

= -10V我

=-1mA

= -500mA我

=-50mA

兆赫

= -500mA我

=-50mA

=-20V

f=100MHz

= -50mA 200

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

= -30V ，我

=-150mA,

= -I

=-15mA

= -6V ，我

=-150mA

=-I

=-15mA

文件编号： BL / SSSTC072

Rev.A的

www.galaxycn.com

银河电子

PNP通用放大器

产品规格

MMBT2907A

典型特征

除非另有规定@ TA = 25 ℃

文件编号： BL / SSSTC072

Rev.A的

www.galaxycn.com

银河电子

PNP通用放大器

包装外形

塑料表面贴装封装

产品规格

MMBT2907A

SOT-23

暗淡

民

2.85

1.25

0.37

0.35

1.85

0.02

2.35

最大

2.95

1.35

0.43

0.48

1.95

0.1

2.45

1.0Typical

0.1Typical

尺寸：mm

焊接足迹

单位：mm

包

设备

MMBT2907A

信息

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

文件编号： BL / SSSTC072

Rev.A的

www.galaxycn.com

MMBT2907A

PNP通用开关晶体管

电压

特点

.119(3.00)

.110(2.80)

60伏特

动力

225毫瓦

SOT- 23

单位：英寸（毫米）

集电极 - 发射极电压VCE = -60V

.056(1.40)

集电极电流IC = -600mA

无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令

环境物质指令的要求

.047(1.20)

.007(.20)MIN

PNP硅外延，平面设计

.103(2.60)

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

.044(1.10)

.006(.15)MAX

案例： SOT -23

码头：每MIL -STD- 750 ，方法2026

大约重量： 0.008克

器件标识： M7A

.020(.50)

.013(.35)

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

符号

价值

-60

-5.0

-600

.035(0.90)

机械数据

单位

权证

C B

E B

热CHATACTERISTICS

参数

最大功率耗散（注1 ）

储存温度

结Temperaure

热阻，结到环境

符号

价值

225

-55到150

556

单位

吨吨

S T摹

J A

C / W

注1 ：晶体管mouted的FR- 5板1.0× 0.75× 0.062 。

.086(2.20)

REV.0-JUN.1.2005

PAGE 。 1

MMBT2907A

电气特性

参数

=25

C，除非另有说明）

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极击穿电压

（ B R ）

EBO

B·L

权证X

=-10mA,I

=-10

A，I

=-10

A，I

权证

=-30V,V

E B

=-0.5V

权证

=-30V,V

E B

=-0.5V

权证

=-50V,I

-60

集电极 - 基极击穿电压

-60

发射极 - 基极击穿电压

-5.0

基地截止电流

-50

收藏家Cuto FF电流

-10

C B

权证

=-50V,I

=125

=-0.1mA,V

权证

=-10V

=-1.0mA,V

权证

=-10V

=-10mA,V

权证

=-10V

=-150mA,V

权证

=-10V

=-500mA,V

权证

=-10V

=-150mA,I

=-15mA

=-500mA,I

=-50mA

=-150mA,I

=-15mA

=-500mA,I

=-50mA

C B

=-10V,I

=0,f=1MHz

C B

=-2V,I

=0,f=1MHz

=-50mA,V

权证

=-20V,

f=100MHz

C C

=-30V,V

Bé

=-0.5V,

=-150mA,I

=-15mA

C C

=-30V,V

Bé

=-0.5V,

=-150mA,I

=-15mA

C C

=-30V,V

Bé

=-0.5V,

=-150mA,I

B 1

=-15mA

C C

=-6V,I

=-150mA,

B 1

B 2

=-15mA

C C

=-6V,I

=-150mA,

B 1

B 2

=-15mA

C C

=-6V,I

=-150mA,

B 1

B 2

=-15mA

100

-10

300

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

8.0

直流电流增益

F ê

集电极 - 发射极饱和电压

权证（ S A T）

B E（ S A T）

C B

E B

0：N

基射极饱和电压

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

电流增益带宽积

200

兆赫

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

100

贮存时间

下降时间

REV.0-JUN.1.2005

PAGE 。 2

MMBT2907A

3.0

2.0

VCE=-1.0V

VCE=-10V

=125 C

25 C

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

-0.1

-55 C

归一化CUTTENT GAIN

-0.2 -0.3

-0.5 -0.7 -1.0

-2.0 -3.0

-5.0 -7.0 -10

-20

-30

-50 -70 -100

-200 -300

-500

，集电极电流（毫安）

图1 -DC Cuttent增益

-1.0

，集电极 - 发射极

电压（伏）

-0.8

=-1.0mA

-10mA

-100mA

-500mA

-0.6

-0.4

-0.2

-0.005 -0.01

-0.02 -0.03

-0.05

-0.07 -0.1

-0.2 -0.3

-0.5 -0.7 -1.0

-2.0 -3.0

-5.0 -7.0 -10

-20 -30

-50

， BASE CUTTENT （毫安）

图2集电极饱和区

300

200

100

7.0

5.0

500

=-30V

=10

=25 C

T， TIME （ NS ）

300

200

100

T， TIME （ NS ）

=-30V

=10

B1=

=25

-1/8t

TD @ V

BE （OFF）的

=0V

2.0V

3.0

-5.0 -7.0 -10

-20 -30 -50 -70 -100

-200 -300 -500

，集电极电流

图3 ，开启时间

7.0

5.0

-5.0 -7.0 -10

-20 -30 -50 -70 -100

-200-300 -500

，集电极电流（毫安）

图4 ，关闭时间

REV.0-JUN.1.2005

PAGE 。 3

MMBT2907A

f=1.0kHz

NF ，噪声系数（dB ）

8.0

6.0

=-1.0mA,R

=430

-500

A，R

=560

-50

A，R = 2.7K

-100

A，R = 1.6

8.0

=-50

-100

-500

-1.0mA

6.0

4.0

=最佳源RESISANCE

2.0

4.0

2.0

0.01 0.02

0.05 0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

100

50 100

200

500 1.0k 2.0k 5.0k 10k 20k

， SOURGE电阻（欧姆）

图6源电阻效应

男，频率（KHz ）

图5频率的影响

50k

， CURR ENT -G AIN -B ANDW ID

PROD UCT （兆赫）

400

300

200

C， CAPA CITANC E（ pF）的

7.0

5.0

100

-1.0 -2.0

=-20V

=25 C

3.0

2.0

-0.1

-0.2 -0.3 -0.5

-1.0

-2.0-3.0 -5.0

-10

-20 -30

反向电压（伏）

-5.0

-10 -20

-50 -100 -200

-500-1000

，收藏家CUTTENT （毫安）

图8电流增益带宽积

Fig.7-Capacitances

-1.0

=25 C

+0.5

BE （ SAT ）

=10

COEFFIC IENT （MV / C）

-0.8

V，电压（V ）

QVC

对于V

CE （ SAT ）

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-0.6

BE（上）

=-10V

-0.4

-0.2

CE （ SAT ）

@ I

=10

-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20

QVB

对于V

-50 -100-200 -500

，集电极电流（毫安）

图9通电压

-2.5

-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200 -500

，收藏家CUTTENT （毫安）

图10 - 温度系数

REV.0-JUN.1.2005

PAGE 。 4

贴装焊盘布局

订购信息

包装信息

T / R - 10K每13"塑料卷

T / R - 每个7"塑料卷3K

法律声明

重要通知

该信息旨在产物，以促进顾客的评价，以明确地表征

该设备在应用程序。这些信息将帮助客户的技术专家确定该设备是

兼容和互换与其他供应商提出了类似的设备。本数据表中的信息被认为

是可靠的和准确的。此处的规格和信息如有变更，恕不另行通知。新产品

并改进产品和产品特性都在不断进行中。因此，工厂应

咨询的最新信息，并没有描述或规定的任何特别的特点。

所有者。

本文档中提供的信息不构成任何报价或合同的一部分。提供的信息

认为是准确和可靠，如有变更，恕不预先通知。无责任将被接受

发布者use.Publication的任何后果本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可

工业或知识产权。

STAD-AUG.06.2004

PAGE 。五

MMBT2907 / MMBT2907A

PNP

版本2006-05-15

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

1.3

±0.1

1.1

表面贴装硅外延平面开关晶体管

硅外延平面Schalttransistoren献给死去Oberflchenmontage

PNP

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

TYPE

CODE

1.9

2.5最大

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

尺寸 - 集体[MM ]

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

= 25°C)

集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung

集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung

发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

- V

首席执行官

- V

CBO

- V

EBO

合计

- I

Grenzwerte （T

= 25°C)

MMBT2907

40 V

60 V

250毫瓦

)

600毫安

-55...+150°C

-55…+150°C

MMBT2907A

60 V

特性（T

= 25°C)

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

)

- I

= 0.1毫安， - V

= 10 V

- I

= 1毫安， - V

= 10 V

- I

= 10毫安， - V

= 10 V

- I

= 500毫安， - V

= 10 V

- I

= 150毫安， - V

= 10 V

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

- I

= 500毫安， - 我

= 50毫安

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

MMBT2907

MMBT2907A

- V

CESAT

- V

CESAT

100

–

Kennwerte （T

= 25°C)

典型值。

–

马克斯。

–

300

0.4 V

1.6 V

集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung

)

安装在P.C。主板为3 mm

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

测试了脉冲吨

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

MMBT2907 / MMBT2907A

特性（T

= 25°C)

分钟。

集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung

)

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

- I

= 500毫安， - 我

= 50毫安

基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

)

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom

- V

= 50 V ，（E打开）

- V

= 50 V ，T

= 125°C ，（E打开）

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

= 20 V ， - 我

= 50 mA时， F = 100 MHz的

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

- V

= 10 V，I

= i

= 0中，f = 1 MHz的

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

- V

= 2 V，I

= i

= 0中，f = 1 MHz的

开关时间 - Schaltzeiten （10％和90％之间）

打开

延迟时间

上升时间

关

贮存时间

下降时间

- V

= 30 V, - V

= 1.5 V

- I

= 150毫安， - 我

= 15毫安

关闭

THA

–

< 420 K / W

)

MMBT2222 / MMBT2222A

MMBT2907 = 2B

MMBT2907A = 2F

45纳秒

10纳秒

40纳秒

100纳秒

80纳秒

30纳秒

EBO

–

30 pF的

CBO

–

8 pF的

200兆赫

–

MMBT2907

MMBT2907A

- I

CBO

- I

CBO

- I

CBO

–

20 nA的

10 nA的

20 A

- V

BESAT

- V

BESAT

–

1.3 V

2.6 V

- V

CESAT

- V

CESAT

–

0.4 V

1.6 V

Kennwerte （T

= 25°C)

典型值。

马克斯。

- V

= 30 V ， - 我

= 150毫安，

- I

= - I

= 15毫安

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

标记 - Stempelung

测试了脉冲吨

= 300微秒，占空比

≤

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

= 300微秒， Schaltverhltnis

≤

安装在P.C。主板为3 mm

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

MMBT2907A

新产品

威世半导体

原通用半导体

小信号晶体管（ PNP ）

TO- 236AB （ SOT -23 ）

.122 (3.1)

.110 (2.8)

.016 (0.4)

.056 (1.43

)

.052 (1.33

)

顶视图

贴装焊盘布局

0.031 (0.8)

引脚配置

1 =基2 =发射

3 - 集电极

最大。 0.004 （0.1）

0.035 (0.9)

0.079 (2.0)

.007 (0.175)

.005 (0.125)

.037(0.95) .037(0.95)

.045 (1.15)

.037 (0.95)

0.037 (0.95)

.016 (0.4)

.102 (2.6)

.094 (2.4)

尺寸以英寸（毫米）

特点

PNP硅外延平面晶体管

开关和放大器应用。

该晶体管也是在TO- 92的情况下可用

同类型指定MPS2907A 。

机械数据

案例：

SOT- 23塑料包装

重量：

约。 0.008克

标识代码：

包装代码/选项：

13元“卷（ 8mm带）， 30K /盒E8 / 10K

每7 “卷轴（8毫米磁带）， 30K /盒E9 / 3K

在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。

最大额定值&热特性

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

(1)

功耗

(2)

热阻

结到环境空气

结温

存储温度范围

注意事项：

（ 1 ） FR - 5局= 1.0× 0.75× 0.062英寸

（2）氧化铝基板= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5％的氧化铝。

符号

–V

首席执行官

–V

CBO

–V

EBO

–I

= 25°C

减免上述25℃

= 25°C

减免上述25℃

FR- 5局

氧化铝基板

合计

θJA

价值

5.0

600

225

1.8

300

2.4

556

417

150

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

文档编号88223

10-May-02

www.vishay.com

MMBT2907A

威世半导体

原通用半导体

电气特性

参数

= 25 ° C除非另有说明）

符号

测试条件

–V

CE =

10V ， -I

= 0.1毫安

–V

CE =

10V ， -I

= 1毫安

–V

CE =

10V ， -I

= 10毫安

–V

CE =

10V ， -I

= 150毫安

(1)

–V

CE =

10V ， -I

= 500毫安

(1)

–V

= 0.5V, –V

= 30V

–V

= 50V ，我

= 0

–V

= 50V ，我

= 0,T

=125°C

–V

= 0.5V, –V

= 30V

–I

= 150毫安， -I

= 15毫安

–I

= 500毫安， -I

= 50毫安

–I

= 150毫安， -I

= 15毫安

–I

= 500毫安， -I

= 50毫安

–I

= 10毫安，我

= 0

–I

= 10μA ，我

= 0

–I

= 10μA ，我

= 0

–V

= 20V ， -I

= 50毫安

F = 100MHz的

–V

= 10V ， F = 1.0MHz的

= 0

–V

= 2.0V ， F = 1.0MHz的

= 0

民

100

—

5.0

200

—

典型值

—

最大

—

300

—

0.01

0.4

1.6

1.3

2.6

—

单位

直流电流增益

—

收藏家Cuto FF电流

发射基截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

基射极饱和电压

(1)

集电极 - 发射极击穿电压

(1)

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

注意：

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2.0%

–I

CEV

–I

CBO

–I

–V

CESAT

–V

BESAT

–V(

BR ） CEO

–V(

BR ） CBO

–V(

BR ） EBO

敖包

IBO

兆赫

www.vishay.com

文档编号88223

10-May-02

MMBT2907A

威世半导体

原通用半导体

电气特性

参数

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

= 25 ° C除非另有说明）

符号

关闭

测试条件

–I

= 15毫安， -I

= 150毫安

–V

= 30V

–I

= 15毫安， -I

= 150毫安

–V

= 30V

–I

= 15毫安， -I

= 150毫安

–V

= 30V

–I

= 15毫安， -I

= 150毫安

–V

= 6.0V

–I

= –I

= 15毫安

–I

= 150毫安， -V

= 6.0V

–I

= –I

= 15毫安

–I

= 150毫安， -V

= 6V

民

—

典型值

—

最大

100

单位

开关时间等效测试电路

图1 - 延迟和上升时间测试电路

-30V

输入

= 50

PRF = 150 PPS

上升时间

≤

2.0纳秒

P.W. < 200纳秒

-16 V

200ns

200

输入

= 50

PRF = 150 PPS

上升时间

≤

2.0纳秒

P.W. < 200纳秒

-30 V

200ns

图2 - 存储和下降时间测试电路

+15 V

1.0 k

以示波器

上升时间

≤

5.0纳秒

-6.0 V

1.0 k

以示波器

上升时间

≤

5.0纳秒

文档编号88223

10-May-02

www.vishay.com

SPICE模型： MMBT2907A

MMBT2907A

PNP小信号表面贴装晶体管

特点

外延平面片建设

互补NPN类型可用

(MMBT2222A)

非常适用于低功率放大和开关

无铅/符合RoHS （注2 ）

SOT-23

顶视图

暗淡

民

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.085

0°

最大

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.180

8°

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料。防火

分类额定值94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

终端连接：见图

码头：每MIL -STD- 202方法208

无铅电镀（雾锡完成了退火

合金引线框架42 ）。

标记（见第4页）： K2F

订购&日期代码信息：参见第4页

重量： 0.008克（近似值）

尺寸：mm

最大额定值

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

, T

英镑

价值

-60

-5.0

-600

-800

300

417

-55到+150

单位

° C / W

°C

特征

连续集电极电流 - （注1）

峰值集电极电流

功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境（注1 ）

操作和储存和温度范围内

注意事项：

1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局

文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。

2.没有故意添加铅。

DS30040牧师11 - 2

1 4

www.diodes.com

MMBT2907A

Diodes公司

电气特性

特征

开关特性（注3 ）

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

基地截止电流

基本特征（注3 ）

= 25 ° C除非另有说明

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

CEX

民

-60

-5.0

100

—

200

最大

-10

-50

300

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

8.0

100

单位

μA

测试条件

= -10μA ，我

= 0

= -10mA ，我

= 0

= -10μA ，我

= 0

= -50V ，我

= 0

= -50V ，我

= 0, T

= 125°C

= -30V, V

EB （O FF ）

= -0.5V

= -30V, V

EB （O FF ）

= -0.5V

= -100μA ，V

= -10V

= -1.0mA ，V

= -10V

= -10mA ，V

= -10V

= -150mA ，V

= -10V

= -500mA ，V

= -10V

= -150mA ，我

= -15mA

= -500mA ，我

= -50mA

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

小信号特性

输出电容

输入电容

电流增益带宽积

开关特性

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

注意事项：

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

敖包

IBO

关闭

= 150毫安，我

= 15毫安

= 500毫安，我

= 50毫安

兆赫

= -10V ， F = 1.0MHz的，我

= 0

= -2.0V ， F = 1.0MHz的，我

= 0

= -20V ，我

= -50mA ，

F = 100MHz的

= -30V ，我

= -150mA ，

= -15mA

= -6.0V ，我

= -150mA ，

= I

= -15mA

3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

400

注1

350

，功耗（毫瓦）

F = 1MHz的

300

250

200

150

100

125

150

175

200

，反向电压（V）的

图。 2 ，典型的电容特性

电容（pF）

CIBO

科博

，环境温度（ ° C）

图。 1 ，最大功耗与

环境温度

DS30040牧师11 - 2

2 4

www.diodes.com

MMBT2907A

Diodes公司

-0.6

，集电极 - 发射极电压（ V）

-1.6

CE （ SAT ）

，集电极到发射极

饱和电压（ V）

-1.4

-1.2

-1.0

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-0.001

= -1mA

= -10mA

= -300mA

= -100mA

-0.5

= 10

= -30mA

-0.4

-0.3

= 150°C

-0.2

= 25°C

-0.1

= -50°C

-0.01

-0.1

-1

-10

，基极电流（毫安）

图。 3 ，典型集电极饱和区

-100

-1

-10

-100

-1000

，集电极电流（毫安）

图。 4 ，集电极 - 发射极饱和电压与

集电极电流

1000

-1.0

BE（上）

，基极发射极电压（ V）

= -5V

= 150°C

= -5V

-0.9

-0.8

-0.7

-0.6

= 25°C

-0.5

-0.4

-0.3

-0.2

= 150°C

= -50°C

，直流电流增益

100

= 25°C

= -50°C

-1

-10

-100

-1000

，集电极电流（毫安）

图。 5 ，直流电流增益VS

集电极电流

1000

，增益带宽积（兆赫）

= -5V

-0.1

-1

-10

-100

，集电极电流（毫安）

图。 6 ，基射极电压

与集电极电流

100

-1

-10

，集电极电流（毫安）

图。 7 ，增益带宽积主场迎战

集电极电流

-100

DS30040牧师11 - 2

3 4

www.diodes.com

MMBT2907A

Diodes公司

订购信息

（注4 ）

设备

MMBT2907A-7-F

注意事项：

包装

SOT-23

航运

3000 /磁带&卷轴

4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

K2F

日期代码的关键

YEAR

1998

CODE

MONTH

CODE

K2F =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

1999

2000

JAN

2001

FEB

2002

MAR

2003

APR

2004

五月

2005

JUN

2006

JUL

2007

八月

2008

2009

SEP

2010

十月

2011

NOV

2012

DEC

重要通知

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任

本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应

承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，

反对一切损害无害。

生命支持

未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件

审批Diodes公司的总裁。

DS30040牧师11 - 2

4 4

www.diodes.com

MMBT2907A

Diodes公司

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

MMBT2907A

PNP通用

扩音器

特点

这UTC

MMBT2907A

被设计为使用作为通用

放大器和开关需要集电极电流为500毫安。

PNP外延平面晶体管

SOT-23

SOT-323

*无铅电镀产品编号： MMBT2907AL

订购信息

订单号

正常

无铅电镀

MMBT2907A-AE3-6-R

MMBT2907AL-AE3-6-R

MMBT2907A-AL3-6-R

MMBT2907AL-AL3-6-R

包

SOT-23

SOT-323

引脚分配

填料

带盘

记号

www.unisonic.com.tw

2005 Unisonic技术有限公司

1 6

QW-R220-001,B

MMBT2907A

PNP外延平面晶体管

绝对最大额定值

（ NOET 1 ）（ TA = 25 ℃除非另有规定）

参数

符号

评级

单位

集电极 - 发射极电压

首席执行官

-60

集电极 - 基极电压

CBO

-60

发射极 - 基极电压

EBO

-5

集电极电流连续

-800

℃

工作结温和存储温度

英镑

-55 ~ +150

注意： 1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能

受损。

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低负载应用进行咨询

周期操作。

绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。

绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。

热数据

参数

热阻结案件

SOT-23

SOT-323

符号

首席执行官

CBO

EBO

CEX

CBO

符号

评级

357

455

民

-60

-5

-50

-0.02

-20

100

典型值

单位

° C / W

最大单位

μA

电气特性

（ TA = 25 ℃除非另有规定）

参数

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

基地截止电流

收藏家Cuto FF电流

基本特征

= -0.1mA ，V

=-10V

= -1.0毫安，V

=-10V

= -10毫安，V

=-10V

= -150毫安，V

=-10V*

= -500毫安，V

=-10V*

= -150毫安，我

=-15mA

= -500毫安，我

=-50mA

= -150毫安，我

=-15mA*

= -500毫安，我

=-50mA

= -50mA ，V

= -20V ， F = 100MHz的

= -10V ，我

= 0中，f = 100KHz的

= -2V ，我

= 0中，f = 100KHz的

测试条件

= -10mA ，我

= -10μA ，我

=-30V, V

=-0.5V

=-30V, V

=-0.5V

= -50V ，我

=0, T

=150℃

直流电流增益

300

-0.4

-1.6

-1.3

-2.6

兆赫

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极饱和电压

小信号特性

电流增益 - 带宽积

输出电容

输入电容

开关特性

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

热特性

器件总功耗

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

科博

CIBO

关闭

200

100

350

275

= 30V ，我

= -150mA ，我

=-15mA

= 6V ，我

=-150mA,

= I

=-15mA

SOT-23

SOT-323

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300毫秒，占空比Cycle≤2.0 ％

注：设备安装在FR- 4 PCB 1.6 “ ×1.6 ”× 0.06 “ 。

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

2 6

QW-R220-001,B

MMBT2907A

测试电路

PNP外延平面晶体管

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

3 6

QW-R220-001,B

MMBT2907A

集电极电流，I

CBO

（ nA的）

基射极电压，V

BESAT

(V)

典型的脉冲电流增益，H

典型特征

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

基射极电压上，V

BE（上）

(V)

集电极 - 发射极电压，V

CESAT

(V)

www.unisonic.com.tw

PNP外延平面晶体管

电容（pF）

QW-R220-001,B

4 6

MMBT2907A

典型特征（续）

PNP外延平面晶体管

时间（纳秒）

-50

-20

-10

-5

上升时间与收藏家

并打开基极电流

=15V

30ns

-2为60ns

-1

-100

集电极电流，I

（MA ）

-500

UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。， LTD。

www.unisonic.com.tw

时间（纳秒）

5 6

QW-R220-001,B