飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MW7IC930N
第0版， 8/2009
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW7IC930N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用从728到960兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制。
驱动器应用 - 900兆赫
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
106毫安，我
DQ2
= 285毫安，P
OUT
= 3.2瓦的平均智商幅度裁剪，
信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
(1)
MW7IC930NR1
MW7IC930GNR1
MW7IC930NBR1
728 - 768兆赫， 920 - 960兆赫，
3.2 W平均， 28 V
单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
G
ps
（ dB）的
36.6
36.8
36.6
PAE
(%)
16.1
16.7
17.3
ACPR
（ DBC）
- 48.0
- 48.7
- 48.6
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 48瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到30瓦
CW P
OUT
.
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
31瓦CW ，我
DQ1
= 40毫安，
I
DQ2
= 340毫安
驱动器应用 - 700兆赫
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
=
106毫安，我
DQ2
= 285毫安，P
OUT
= 3.2瓦的平均智商幅度裁剪，
信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
728兆赫
748兆赫
768兆赫
G
ps
（ dB）的
36.4
36.4
36.4
PAE
(%)
16.1
16.1
16.0
ACPR
（ DBC）
- 47.7
- 47.8
- 47.9
CASE一八八六年至1801年
TO - 270 WB - 16
塑料
MW7IC930NR1
CASE 1887至1801年
TO - 270 WB - 16 GULL
塑料
MW7IC930GNR1
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW7IC930NBR1
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >5欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿与启用/禁用功能
(2)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
GND
1
16
GND
2
NC
符合RoHS
15
NC
3
NC
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
V
4
GND
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
DS1
5
6
7
8
9
10
11
14
RF
OUT
/V
DS2
RF
in
GND
V
GS1
V
GS2
NC
GND
13
12
NC
GND
V
GS1
V
GS2
静态电流
温度补偿
(2)
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
收集在900兆赫应用测试夹具1。 900 MHz的驱动频率带的表数据。参见图。 7 。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2009年。保留所有权利。
MW7IC930NR1 MW7IC930GNR1 MW7IC930NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
4.7
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
（外壳温度80 ° C， 3.2 W CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 106毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 285毫安
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1
= 40毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2
= 340毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
5.5
1.6
5.8
1.2
单位
° C / W
（外壳温度80 ° C， 30瓦CW）
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
II （最少）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 14
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1
= 106 mA）的
夹具门静态电压
(4)
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 106 mA时，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
6.9
2
2.8
9.4
2.7
—
11.9
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4. V
GG
= 3.3× V
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
（续）
MW7IC930NR1 MW7IC930GNR1 MW7IC930NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 74
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2
= 285毫安）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2
= 285毫安，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 740毫安）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.2
0.1
2
2.6
5.9
0.3
2.7
—
7.6
0.8
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 106 mA时，我
DQ2
= 285毫安，P
OUT
= 3.2 W平均，
F = 940 MHz的单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽运营商，智商幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
PAE
ACPR
IRL
33
14
—
—
35.9
16.5
- 49.5
- 18.7
38
—
- 46
-9
dB
%
dBc的
dB
典型的宽带性能 - 900 MHz的
（飞思卡尔在900 MHz的应用测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
=
106毫安，我
DQ2
= 285毫安，P
OUT
= 3.2 W平均，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
920兆赫
940兆赫
960兆赫
G
ps
（ dB）的
36.6
36.8
36.6
PAE （％）
16.1
16.7
17.3
ACPR （ DBC）
- 48.0
- 48.7
- 48.6
IRL （ dB）的
- 19.9
- 20.8
- 19.7
1. V
GG
= 2.25 x垂直
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MW7IC930NR1 MW7IC930GNR1 MW7IC930NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型性能 - 900 MHz的
（飞思卡尔在900 MHz的应用测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 106 mA时，我
DQ2
=
285毫安， 920 - 960 MHz带宽
V
DD
= 28伏直流，我
DQ1
= 40 mA时，我
DQ2
= 340毫安
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 25瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
(1)
用3 kΩ的门饲料电阻（ - 3085 ℃）下
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 3.2 W魅力。
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
P1dB
IMD
符号
—
31
—
W
兆赫
—
45
—
VBW
水库
ΔI
QT
G
F
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
80
0.02
0.2
0.036
0.01
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型W - CDMA的宽带性能 - 700 MHz的
（飞思卡尔在700 MHz的应用测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，
I
DQ1
= 106 mA时，我
DQ2
= 285毫安，P
OUT
= 3.2 W平均，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
728兆赫
748兆赫
768兆赫
G
ps
（ dB）的
36.4
36.4
36.4
PAE （％）
16.1
16.1
16.0
ACPR （ DBC）
- 47.7
- 47.8
- 47.9
IRL （ dB）的
- 17.9
- 20.7
- 21.8
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MW7IC930NR1 MW7IC930GNR1 MW7IC930NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
DD1
C14 C15
R7
C13
C17
C9
C8 C7
切出区
V
DD2
C16
C18
C6
C5 C4
C11
C12
C10
R4
V
GG1
V
GG2
R1
R5
R6
C2
C3
C1
MW7IC930N
REV 2
R2
R3
图3. MW7IC930NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局 - 900兆赫
表6. MW7IC930NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值 - 900兆赫
部分
C1, C4, C7
C2, C5, C8
C3, C6
C9, C15
C10
C11
C12
C13, C14
C16, C17
C18
R1, R2, R3, R4, R5, R6
R7
PCB
描述
47 pF的贴片电容
10 NF， 50 V贴片电容
1
μF,
50 V贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
16 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
100
μF,
50 V电解电容器
0.5 pF的贴片电容
1000
Ω,
1/4 W贴片电阻
0
Ω,
3A贴片电阻
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
ATC600F470JT250XT
C0603C103J5RAC - 恩
GRM21BR71H105KA12L
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B160JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B470JT500XT
MCGPR35V337M10X16 - RH
ATC100B0R5BT500XT
CRCW12061K00FKEA
CRCW12060000Z0EA
RF - 35
生产厂家
ATC
基美
村田
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MW7IC930NR1 MW7IC930GNR1 MW7IC930NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
