MMBT6427LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，V
BE
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 25伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
电流增益 - 频率高
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
噪声系数
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏，R
S
= 100千瓦， F = 1.0千赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
C
敖包
C
IBO
|h
fe
|
1.3
NF
10
dB
15
VDC
7.0
pF
pF
h
FE
10,000
20,000
14,000
V
CE(sat)(3)
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
1.75
2.0
VDC
1.2
1.5
VDC
100,000
200,000
140,000
VDC
V
（ BR ） CEO
40
V
（ BR ） CBO
40
V
（ BR ） EBO
12
I
CES
I
CBO
I
EBO
50
50
NADC
1.0
NADC
MADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
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