ON Semiconductort
达林顿晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
40
12
500
单位
VDC
MMBT6427LT1
安森美半导体首选设备
3
VDC
VDC
MADC
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
集热器3
BASE
1
发射器2
器件标识
MMBT6427LT1 = 1V
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10 MADC ，V
BE
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 25伏直流，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
V
（ BR ） CEO
40
V
（ BR ） CBO
40
V
（ BR ） EBO
12
I
CES
—
I
CBO
—
I
EBO
—
50
50
NADC
1.0
NADC
—
μAdc
—
VDC
—
VDC
VDC
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号：
MMBT6427LT1/D
MMBT6427LT1
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
100
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
I
C
= 1.0毫安
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
I
C
= 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
http://onsemi.com
3
MMBT6427LT1
小信号特性
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
V
R
，反向电压（伏）
10
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
T
J
= 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
V
CE
= 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB
对于V
BE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
http://onsemi.com
4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT6427LT1 / D
达林顿晶体管
NPN硅
集热器3
BASE
1
MMBT6427LT1
摩托罗拉的首选设备
发射器2
3
1
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
40
40
12
500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT6427LT1 = 1V
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（IC = 10 MADC ， VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 25伏直流电， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
1， FR- 5 = 1.0
0.75
2.氧化铝= 0.4 0.3
V（ BR ） CEO
40
V（ BR ） CBO
40
V（ BR ） EBO
12
冰
—
ICBO
—
IEBO
—
50
50
NADC
1.0
NADC
—
μAdc
—
VDC
—
VDC
VDC
0.062英寸
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT6427LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 50 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 500 MADC ， IB = 0.5 MADC ）
基地 - 发射极电压上
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
10,000
20,000
14,000
VCE(sat)(3)
—
—
VBE （ SAT ）
—
VBE （ON）的
—
1.75
2.0
VDC
1.2
1.5
VDC
100,000
200,000
140,000
VDC
—
小信号特性
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
电流增益 - 频率高
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
噪声系数
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0伏， RS = 100 kΩ的， F = 1.0千赫）
3.脉冲测试：脉冲宽度= 300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
科博
—
CIBO
—
| HFE |
1.3
NF
—
10
—
dB
15
VDC
7.0
pF
pF
RS
in
en
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT6427LT1
噪声特性
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ° C）
500
200
恩，噪声电压（NV ）
100
10
A
50
100
A
20
IC = 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
带宽= 1.0赫兹
RS
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
带宽= 1.0赫兹
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
A
10
A
IC = 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
带宽= 10 Hz至15.7千赫
IC = 10
A
10
10
A
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
IC = 1.0毫安
100
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
RS ，源电阻值（kΩ ）
500
100
0
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT6427LT1
小信号特性
20
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
CIBO
科博
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
VCE = 5.0 V
F = 100 MHz的
TJ = 25°C
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
VR ，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
IC ，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
200 k
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
3.0
TJ = 25°C
2.5
IC = 10毫安
2.0
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
1.5
– 55°C
VCE = 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
IB ，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
– 1.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
*R
q
VC的VCE （SAT）
25 ° C至125°C
– 2.0
- 55 ° C至25°C时
– 3.0
25 ° C至125°C
– 4.0
q
VB的VBE
– 5.0
- 55 ° C至25°C时
0.8
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
0.6
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
– 6.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200 300
IC ，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT6427LT1
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.05
单脉冲
D = 0.5
0.2
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA （T ）
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
图12.热响应
图A
tP
PP
PP
t1
1/f
占空比
1
+
T1 F
+
TTP
峰值脉冲功率= PP
设计说明：采用瞬态热阻数据
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
MMBT6427LT1
首选设备
达林顿晶体管
NPN硅
特点
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
40
12
500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
http://onsemi.com
集热器3
BASE
1
发射器2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝基板，
（注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
最大
单位
1
2
3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
1V M
G
G
1
1V =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBT6427LT1
MMBT6427LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第2版
出版订单号：
MMBT6427LT1/D
MMBT6427LT1
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
100
10
mA
50
100
mA
20
I
C
= 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
2.0
带宽= 1.0赫兹
I N ，噪声电流（PA ）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
mA
10
mA
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
mA
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
10
10
mA
8.0
6.0
4.0
2.0
I
C
= 1.0毫安
100
mA
100
mA
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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3
MMBT6427LT1
小信号特性
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图7.高频电流增益
200 k
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
3.0
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
2.0
1.5
55
°C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（毫安）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV / C）
°
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
1.0
2.0
3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
55
°C
至25℃
25 ° C至125°C
4.0
q
VB
对于V
BE
5.0
6.0
5.0 7.0 10
55
°C
至25℃
0.8
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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