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系统设计信息
该电路的目的是在PLL的谐振频率范围从500千赫滤除噪声，以10兆赫
范围内。它应与表面建安装以最小的有效串联电感（ESL）的电容器。
符合霍华德·约翰逊博士的建议
高速数字设计：一本手册
黑魔法
（ Prentice Hall出版社， 1993年） ，同等价值的多个小电容，建议通过
单个大容量的电容。
每个电路应放在尽可能接近特定AV
DD
销被提供，以尽量减少
噪音加上从附近的电路。它应该是可能的路线直接从电容器到AV
DD
销，这是对包的周边，没有通孔的电感。
图40
给出了PLL电源滤波电路。
10
Ω
V
DD
2.2 F
2.2 F
低ESL表面贴装电容器
AV
DD
（或L2AV
DD
)
VSS
图40. PLL电源滤波电路
21.3
脱钩的建议
由于大的地址和数据总线，以及高的工作频率，该装置可产生瞬时
电涌和其电源的高频噪声，尤其是在驱动较大的容性负载。
此噪声必须到达在MPC8313E系统其他组件被防止，并且
MPC8313E本身需要电力的清洁，严格监管的源头。因此，建议
系统设计者的地方中的至少一个去耦电容器，在各V
DD
， NV
DD
， GV
DD
， LV
DD
， LV
DDA
,
和LV
DDB
该装置的引脚。这些去耦电容应该从不同的V接收他们的权力
DD
,
NV
DD
， GV
DD
， LV
DD
， LV
DDA
， LV
DDB
和VSS电源层的PCB ，使用短的走线，以
减小电感。电容器可直接使用标准的逃生模式的设备下放置。
他人可以包围的部分。
这些电容器应该具有0.01或0.1μF的值。只有陶瓷SMT （表面贴装技术）
电容器应采用尽量减少引线电感，优选0402或0603的尺寸。
另外，建议在那里是在PCB上分布了多个大容量电容，
喂V
DD
， NV
DD
， GV
DD
， LV
DD
， LV
DDA
和LV
DDB
面，以使得能够快速充电
较小的片状电容器。这些大容量电容应具有低ESR （等效串联电阻）评级
以保证所需的快速响应时间。它们也应该连接到电源和地
通过两个孔机，以减少电感。推荐大容量电容， 100-330 μF （ AVX TPS
钽电容或OSCON三洋） 。
21.4
推荐连接
为确保可靠的操作，强烈建议不使用的输入端连接到一个适当的信号
的水平。未使用的有源低投入应与NV
DD
， GV
DD
， LV
DD
， LV
DDA
还是LV
DDB
作为必需的。
未使用的高有效输入应连接到VSS 。所有NC （无连接）的信号必须保持
悬空。
MPC8313E的PowerQUICC
II Pro处理器硬件规格，第0版
82
飞思卡尔半导体公司
