STK17TA8
数据保护
在STK17TA8可防止数据损坏
低电压条件下抑制所有外部
开始的存储和写入操作。在低
检测电压条件时， V
CC
＆ LT ; V
开关
.
如果STK17TA8处于写模式（ E和W
低），在上电时，一个RECALL之后，或后一
店，写操作将被禁止，直到负
检测关于电子商务或W过渡。这保护
防止意外上电时或褐色写
出的条件。
上电开机固件程序应该重写
该NVSRAM到所需的状态（自动存储
使能等）。而该NVSRAM出厂的
预设状态下，最好的做法是重新改写
NVSRAM到作为保障所需的状态
针对可能翻转位不经意的事件
（程序错误，来料检验程序，
等）。
在校准寄存器的OSCEN位在
0x1FFF8应该被设置为1，以保持电池
当系统处于贮存寿命（见
停止和启动RTC振荡
荡器16页） 。
在V
帽
本数据表中指定的值
包括最小和最大值的大小。
最好的做法是符合这个要求，而不是
超过MAX V
帽
值，因为该NVSRAM
内部算法计算出V
帽
充电时间
基于该最大值VCAP值。客户说
要使用更大的V
帽
值，以确保
有多余的存储电荷和存储时间应
讨论他们的V
帽
大小选择与SIMTEK到
了解在V产生任何影响
帽
电压等级
在一吨结束
召回
期。
噪声考虑
该STK17TA8是一个高速存储器等
必须具有0.1的高频旁路电容器
μF连接两个V之间
CC
引脚和V
SS
地平面与平面不破片V
SS
。利用
引线和迹线是尽可能地短。如
与所有高速CMOS集成电路，小心路由
电源，接地和信号会降低电路噪声。
防止自动存储
因为使用的nvSRAM来存储关键的RTC
数据的自动存储功能无法禁用
该STK17TA8 。
最佳实践
的nvSRAM产品得到了有效的使用
超过15年。而易于使用性是在本产品中的一个
UCT的主要系统值，获得的经验与工作
荷兰国际集团与数百个应用程序已导致
以下建议的最佳实践：
非易失性细胞中的nvSRAM是亲
在最终测试中编程的测试地板
质量保证。进料检验程序
在客户或合同制造商的网站会
有时重新编程这些值。最后NV巳
燕鸥是典型的重复AA ， 55模式，
00 ， FF ，A5或5A 。最终产品的固件应该
不承担NV数组是一组编程
状态。该检查内存内容val-程序
的UE ，以确定第一时间的系统配置，
冷或热启动状态等应经常亲
克一个独特的NV模式（例如，复杂的4字节
46 E6 49 53 （十六进制）或更多的随机模式
字节）作为最终的系统制造的一部分
测试，以确保这些系统例程的工作consis-
tently 。
文件控制＃ ML0025版本2.0
2008年1月
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