STK17TA8
转
1.5
日期
2007年3月
参数
I
OUT
对于HSB
t
ELAX
t
GLAX
t
EHAX
t
GHAX
t
DELAY最大。
t
HLBL
t
SS
旧值
无规格
20 ， 30纳秒
20 ， 30纳秒
无规格
无规格
无规格
300纳秒
70
μs
民
变化
新价值
-10
μA
无规格
无规格
1纳秒
1纳秒
70
μs
最大
无规格
70
μs
最大
笔记
添加笔记
用t取代
EHAX
用t取代
GHAX
需要地址保持
需要地址保持
HSB立即驱动低
错规格
ABE位的中断寄存器中删除
中断寄存器初始化为00h
标志位（ WDF ， AF ， PF）初始化为0
在标志寄存器W-位允许写入RTC ，报警器，标定，跨
中断和标志寄存器
添加磁带&卷轴订购选项
添加产品订购代码
添加封装图纸
重新格式化整个文档
2.0
2008年1月
第3页：加入热特性。对于DC的特点，
第5页：修订后的建议值空话。
第6页：在SRAM中读取周期＃ 1和＃ 2表，修改参数
说明吨
ELQX
和T
EHQZ
并改变符号＃ 2
tELEH
为
读周期时间;更新SRAM读周期＃ 2时序图和
改变标题分别添加G控制。
第9页：修订如下软件控制的存储/调用的说明
循环图。
第11页：在模式选择表，改列到A16 ， A0和
“ 0X ”的所有实例之后添加一个0 。
第12页：下自动存储操作，修改后的文本为：“参见
DC特性表电容的大小“ 。
第13页：在硬件存储（ HSB ）操作，修订后的第一款
图读“的HSB引脚有一个很电阻上拉......”
第14页：添加最佳实践部分。
修订后的RTC寄存器映射寄存器0x1FFF8 （ D7 ）和0x1FFF6
（D7 ，D6， D5 ，D3和D2 ） 。
第25页：添加访问次数列的订购代码。
文件控制＃ ML0025版本2.0
2008年1月
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