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引体向上
电阻器
音频输入
36
车辆正
领导
10uH
V
BATT
8V–22V
4.7uF的4.7uF的82nF 2.2nF
1000uF的1000uF的100nF的
100nF
反向
电池
保护
A
另外
TAS5424同步
另外
TAS5424同步
另外
TAS5424同步
车辆负
铅（ GND ）
1
44
OSC_ SYNC
PVDD
43
PVDD
42
SDA
10uH
150nF
0.47uF
1nF
10uH
39
MUTE（静音）
快速静音
330nF
GND
8
可选
100nF
9
D_ BYP
OUT2_P
5.6W
35
34
GND
CP
CPC_ BOT
32
REXT
100nF14
A_ BYP
IN1_P
IN1_M
IN2_P
IN2_M
IN3_P
1uF的20 IN3_M
1uF
21
1uF的22
IN4_P
IN4_M
1uF
1uF的16
1uF
1uF的18
1uF
19
17
15
OUT3_M
OUT3_P
保护地
28
保护地
OUT4_M
OUT4_P
PVDD
24
PVDD
23
PVDD
S0236-01
TAS5414
TAS5424
SLOS514 - 2007年2月
地平面
GND
"0" ： V0 （至SGND ） （ OSC硕士默认）
"1" ： V1 （ OSC从1 ）
"2" ： V2 （ OSC从2 ）
"3" ： V3 （以D_BYP ） （ OSC从3 ）
2
I2C_ ADDR
3
PVDD
OUT1_M
OUT1_P
保护地
38
保护地
OUT2_M
36
1nF
1uF
1uF
A
1nF
31
30
29
5.6W
1nF
10uH
5.6W
0.47uF
150nF
1W
10uH
37
5.6W
0.47uF
150nF
1W
1nF
10uH
150nF
1W
5.6W
40
41
5.6W
1nF
4
SCL
5
故障
6
7
A
SGND
保护地
1W
1nF
4W
150nF
1W
1nF
系统
微处理器
待机
1nF
4W
1nF
10
CLIP_OTW
11
12
33
SGND
20k
W
, 1% 13
保护地
CPC_ TOP
应用信息（续）
图28. TAS5424典型应用电路图
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10uH
1nF
27
26
5.6W
25
1nF
10uH
5.6W
0.47uF
10uH
A
150nF
1W
1nF
4W
1nF
150nF
1W
1nF
4W
150nF
1W
1nF
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