过程
CP704
中央
TM
小信号晶体管
PNP - 高电流晶体管芯片
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
23,450
主体装置类型
MPSA55
MPSA56
外延平面
22× 22密耳
9.0 MILS
3.7× 3.7 MILS
4.2 X 4.2 MILS
艾尔 - 30,000
金 - 18,000
BACKSIDE集热器
145亚当斯大街
哈帕克，纽约
11788
美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
R1 （ 2005年15日4月）
