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过程

CP704

中央

TM

小信号晶体管

PNP - 高电流晶体管芯片

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

23,450

主体装置类型

MPSA55

MPSA56

外延平面

22× 22密耳

9.0 MILS

3.7× 3.7 MILS

4.2 X 4.2 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 18,000

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

哈帕克，纽约

11788

美国

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R1 （ 2005年15日4月）

中央

TM

过程

CP704

半导体公司

典型电气特性

145亚当斯大街

哈帕克，纽约

11788

美国

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传真：（ 631 ） 435-1824

R1 （ 2005年15日4月）

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