过程
小信号晶体管
PNP - 饱和开关晶体管芯片
CP555
中央
TM
半导体公司
流程细节
过程
模具尺寸
模具厚度
BASE焊盘区
发射极焊盘区
顶面金属化
背面金属化
几何
PER 4英寸晶圆DIE总值
75,330
主体装置类型
CMPT3640
CMPT4209
2N4209
BACKSIDE集热器
外延平面
15 ×10的MILS
8密耳
3.6 X 2.4 MILS
3.6 X 2.4 MILS
艾尔 - 20,000A
金 - 15,000
145亚当斯大街
Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
www.centralsemi.com
R2 （2002年1月）
