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过程

小信号晶体管

PNP - 饱和开关晶体管芯片

CP555

中央

半导体公司

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

75,330

主体装置类型

CMPT3640

CMPT4209

2N4209

BACKSIDE集热器

外延平面

15 ×10的MILS

8密耳

3.6 X 2.4 MILS

艾尔 - 20,000A

金 - 15,000

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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R2 （2002年1月）

中央

过程

CP555

半导体公司

典型电气特性

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R2 （2002年1月）

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