A0-A19
BALE
nMEMR
nPROM **
t1
t3
有效
t2
t10
t9
t4
nTOPL
IOCHRDY
t6
t5
t8
t7
参数
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
t10
地址设置罢了低*
BALE低后地址保持*
地址设置为nMEMR低
nMEMR低到nPROM低
nMEMR低到nTOPL低
nMEMR低到IOCHRDY低
IOCHRDY低脉冲宽度
nMEMR高到nTOPL高
nMEMR高到nPROM高回
nMEMR高罢了高（下一页地址）
民
20
20
50
0
0
0
100
0
0
30
典型值
最大
单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
25
30
20
165
15
30
*对于锁存地址， T1和T2不适用。请参考图21，用于锁存地址
模式。
**所有PROM访问是8位只， ROM应该使用nMEMR作为NOE信号和PROM为NCS 。
图19 - 读PROM周期
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