A0-A19
nSBHE
t1
BALE
nMEMR
t3
D0-D7or
D0-D15
nTOPH ，
nTOPL
nMEMCS16
（虚掩）
nMEMCS16
（锁定）
有效
t2
t10
**
t9
有效数据
t4
t6
t7
t5
t11
t8
参数
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
t9
t10
t11
地址nSBHE设立罢了低*
地址nSBHE BALE低后按住*
地址nSBHE成立nMEMR低
nMEMR低到有效数据
nMEMR低nTOPH ， nTOPL低
A19 -A17为nMEMCS16低（虚掩） （ 128K RAM解码）
A19 -A11 ，贝尔高到nMEMCS16低（锁定） （ 2K RAM
DECODE ）
nMEMR高到nTOPH ， nTOPL高
nMEMR高到数据高阻抗
nMEMR高罢了高（下一页地址）
地址nSBHE无效nMEMCS16高（虚掩） *
民
20
20
25
0
0
0
0
0
30
0
典型值
最大单位
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
nS
80
30
40
25
15
20
*对于锁存地址， T1和T2不适用。请参考图21，用于锁存地址
模式。
**为130ns最小无效时间上连续的内存读取的COM90C66 。
图15 - 读RAM周期
50
