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FM20L08 - 扩展级温度。
概观
该FM20L08是一个单字节宽， FRAM存储器
在逻辑上组织为131072 ×8 ，并访问
采用业界标准的并行接口。所有数据
写入部被立即非易失性无
延时。该器件提供页面模式操作这
在提供更高的速度访问地址
页（行） 。到不同的页面的访问要求
或者/ CE的转换低或高地址
A（ 16 ： 3 ）的变化。
驱动/ OE作为国家的数据总线不管
只要/ WE为低。输入数据必须是有效的，当
/ CE是无效的高。在/ WE控制写的
存储器周期开始的/ CE的下降沿。该
/ WE信号下降一段时间后。因此，该
存储周期开始为读。的数据总线将是
如果/ OE是低电平驱动，但它会高阻一次/ WE是
置为低电平。在/ CE-和/ WE控制的写
定时情况下，显示11页上。在
写
周期时序2
图中，数据总线被示为
而允许写入喜-Z状态芯片和
所需的建立时间之前。虽然这是
吸引到看起来像一个中间等级电压，它是
建议所有的DQ引脚符合
最小V
IH
/V
IL
经营水平。
写访问阵列上开始的下降沿
/ WE之后被启动的存储器周期。写
访问终止于/ WE或/ CE的上升沿，
以先到者为准。一次有效的写操作
要求用户在满足存取时间指定
要拉高前/ WE或/ CE 。数据建立时间
表示的时间间隔期间的数据不能
变更前的写访问结束时（ / WE或
/ CE的高点） 。
不同于其他真正的非易失性存储器技术，
没有写延迟FRAM 。由于读
写底层的内存访问时间
同样，用户遇到通过没有延迟
总线。整个存储器操作发生在一个单一的
总线周期。数据轮询，与所使用的技术
的EEPROM ，以确定是否写操作完成，是
不必要的。
页面模式操作
该FM20L08为用户提供了快速访问任何
行元素中的数据。每一行都有8
列的位置。访问可以从任何地方开始
一个行内，并且其它列的位置可以是
无需切换/ CE引脚访问。为
页面模式读取，一旦第一个数据字节被驱动
上车后，列地址输入A （ 2 ： 0 ）可
被改变到一个新的值。新的数据字节是那么
驱动到DQ管脚。对于页式写的
第一次写入脉冲定义第一个写访问。而
/ CE为低时，随后的记录脉冲以及一个新的
列地址提供了页面模式写访问。
预充电操作
预充电操作是在一个内部条件
该存储器的状态是一个新的准备
访问。预充电是用户发起的，通过驱动/ CE的
信号高。它必须保持高电平至少在
最小预充电时间t
PC
.
内存操作
用户访问131,072的内存位置有8个数据
位每经过一个并行接口。该FRAM
阵列是由8块，每块有2048行。
每行有8列的位置，它允许快
存取在页模式操作。一旦初始
地址被锁存由/ CE的下降沿，
随后的列位置可以被访问
无需切换/ CE 。当/ CE为
去断言高时，预充电操作开始。写
立即发生的，没有接入的端
延时。在/ WE引脚必须切换为每写
操作。
读操作
读操作开始/ CE的下降沿。
/ CE的下降沿使地址为
锁存并启动存储器的读周期，如果/ WE为高电平。
数据访问之后，在总线上可用
时间已经满足了。一旦地址已
锁存和访问完成时，一个新的访问
随机位置（不同的行）可能会开始时/ CE
仍然偏低。最小周期时间为随机
地址为t
RC
。请注意，与静态存储器，所述
FM20L08的/ CE-启动存取时间比快
地址周期时间。
该FM20L08将驱动数据总线仅当/ OE
被置低，内存访问时间已
满意。如果/ OE是断言之前，完成
存储器存取，数据总线将不被驱动，直到
有效数据是可用的。该功能最大程度地减少供应
当前在系统中通过消除瞬态引起的
由无效数据被驱动到总线上。当/ OE
处于非活动状态时，数据总线将保持高阻抗。
写操作
写操作发生在FM20L08的同时
间隔读取。该FM20L08支持/ CE-
和/ WE控制的写周期。在这两种情况下，该
地址被锁存/ CE的下降沿。
在/ CE的控制的写入时，/ WE信号被断言
开始前的存储周期。即， / WE为
当低/ CE下降。在这种情况下，该装置开始
存储器周期作为写入。该FM20L08不会
修订版1.4
2005年10月
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