FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
2006年8月
FDS8670
tm
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
该器件专为改善
的DC-DC变换器的效率。使用新的
在MOSFET的施工工艺，各种
栅极电荷和电容的元件已
优化，以减少开关损耗。低门
性能和非常低的米勒电荷可实现出色
既自适应和固定死区时间的表现
栅极驱动电路。非常低的RDS（ON）已
维持提供了极其灵活的设备。
特点
21 A， 30 V
最大
DS （ ON）
= 3.7毫欧@ V
GS
= 10 V
最大
DS （ ON）
= 5.0毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和栅极电荷
最小的Qgd （ 5.5 NC典型值）
100% R
G
测试（ 0.9
典型）
符合RoHS
应用
高效率DC- DC转换器：
笔记本电脑的Vcore电源
电信砖同步整流器
多用途负载点
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
P
D
V
GSS
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
21
105
2.5
1.2
1
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8670
设备
带尺寸
13’’
FDS8670
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS8670版本C （ W）
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
