FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
2005年9月
FDS8670
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
该器件专为改善
的DC-DC变换器的效率。使用新的
在MOSFET的施工工艺，各种
栅极电荷和电容的元件已
优化，以减少开关损耗。低门
性能和非常低的米勒电荷可实现出色
既自适应和固定死区时间的表现
栅极驱动电路。非常低的RDS（ON）已
维持提供了极其灵活的设备。
特点
21 A， 30 V
最大
DS （ ON）
= 3.7毫欧@ V
GS
= 10 V
最大
DS （ ON）
= 5.0毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和栅极电荷
最小的Qgd （ 5.5 NC典型值）
100% R
G
测试（ 0.9
典型）
符合RoHS
应用
高效率DC- DC转换器：
笔记本电脑的Vcore电源
电信砖同步整流器
多用途负载点
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
漏源电压
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±16
（注1A ）
单位
V
V
A
W
21
105
2.5
1.2
1
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8670
设备
FDS8670
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS8670版本C （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 A
最小典型最大单位
30
39
1
±100
V
毫伏/°C的
A
nA
开关特性
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
= ±16 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250 A
1
1.4
–5
3.3
4.2
4.4
118
3
V
毫伏/°C的
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 21 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 21 A，T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 21 A
3.7
5.0
5.5
m
g
FS
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
4040
1730
160
0.2
0.9
1.5
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
12
11
56
68
21
20
90
108
82
42
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
总栅极电荷在V
GS
= 10V
总栅极电荷在V
GS
= 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
I
D
= 21 A
58.5
30
9.5
5.5
漏源二极管的特性和最大额定值
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
（注2 ）
0.7
51
1.5
37
1.2
V
ns
A
nC
I
F
= 21 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 50 ° / W时，
2
装在一个1在
2盎司纯铜垫
B） 105 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS8670版本C （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
105
V
GS
= 10V
87.5
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
70
4.5V
52.5
3.5V
3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
3.4
V
GS
= 2.5V
2.8
2.2
3.0V
1.6
35
3.5V
2.5V
4.0V
4.5V
6.0V
17.5
1
10V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
0.4
0
35
70
I
D
，漏电流（ A）
105
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.011
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 21A
V
GS
= 10V
I
D
= 10.5A
1.4
0.008
1.2
1
T
A
= 125
o
C
0.005
0.8
T
A
= 25
o
C
0.002
2
4
6
8
10
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
105
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1000
V
GS
= 0V
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
100
10
T
A
= 125
o
C
I
D
，漏电流（ A）
70
1
0.1
0.01
0.001
25
o
C
-55
o
C
35
T
A
=125
o
C
-55
o
C
25 C
o
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8670版本C （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 21A
8
20V
电容（pF）
5000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4000
V
DS
= 10V
6
15V
4
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
2
1000
C
RSS
0
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
图8.电容特性。
I
D
，漏电流（ A）
100
80
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
10
10s
100s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
60
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
40
0.1
20
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
0.1
0.1
0.05
0.02
P（ PK）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS8670版本C （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
快
ActiveArray
FASTr
深不见底
FPS
构建它现在
FRFET
CoolFET
GlobalOptoisolator
CROSSVOLT
GTO
DOME
HiSeC
EcoSPARK
I
2
C
E
2
CMOS
我罗
Ensigna
ImpliedDisconnect
FACT
的IntelliMAX
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I16
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
一月
2008
FDS8670
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
该器件专为改善
的DC-DC变换器的效率。使用新的
在MOSFET的施工工艺，各种
栅极电荷和电容的元件已
优化，以减少开关损耗。低门
性能和非常低的米勒电荷可实现出色
既自适应和固定死区时间的表现
栅极驱动电路。非常低的RDS（ON）已
维持提供了极其灵活的设备。
tm
特点
21 A， 30 V
最大
DS （ ON）
= 3.7毫欧@ V
GS
= 10 V
最大
DS （ ON）
= 5.0毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和栅极电荷
最小的Qgd （ 5.5 NC典型值）
100% R
G
测试（ 0.9
典型）
100 ％ UIL测试
符合RoHS
应用
高效率DC- DC转换器：
笔记本电脑的Vcore电源
电信砖同步整流器
多用途负载点
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
P
D
V
GSS
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
21
105
2.5
1.2
1
433
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
E
AS
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
（注3）
工作和存储结温范围
mJ
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8670
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS8670版本D1 （ W）
FDS8670
电气特性
符号
BV
DSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 A
最小典型最大单位
30
39
1
±100
1
1.4
–5
3.3
4.2
4.4
118
4040
1730
160
0.2
0.9
12
11
56
68
1.5
21
20
90
108
82
42
3.7
5.0
5.5
3
V
毫伏/°C的
A
nA
V
毫伏/°C的
m
开关特性
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
= ±20 V,
V
DS
= V
GS
,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250 A
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 21 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 21 A，T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 21 A
g
FS
C
国际空间站
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
1.2
V
ns
A
nC
动态特性
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
关断延迟时间
关断下降时间
开启上升时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
总栅极电荷在V
GS
= 10V
总栅极电荷在V
GS
= 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
V
DD
= 15 V,
I
D
= 21 A
58.5
30
9.5
5.5
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
（注2 ）
0.7
51
1.5
37
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
I
F
= 21 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 50 ° / W时，
2
装在一个1在
2盎司纯铜垫
B） 105 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
起始物为
J
= 25
°
C，L = 3MH ，我
AS
= 1
7
A，V
DD
=
30
V, V
GS
= 10V
FDS8670版本D1 （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
105
87.5
I
D
，漏电流（ A）
70
52.5
35
17.5
0
0
V
GS
= 10V
6.0V
4.5V
3.5V
3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
3.4
V
GS
= 2.5V
2.8
2.2
1.6
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
2.5V
1
6.0V
10V
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
0.4
0
35
70
I
D
，漏电流（ A）
105
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.011
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 21A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 10.5A
0.008
1.2
1
T
A
= 125
o
C
0.005
0.8
T
A
= 25
o
C
0.002
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
105
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1000
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
V
DS
= 5V
100
10
1
0.1
0.01
25
o
C
-55
o
C
I
D
，漏电流（ A）
70
T
A
= 125
o
C
35
T
A
=125
o
C
-55
o
C
0.001
0
1
25 C
o
0.0001
3.5
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8670版本D1 （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 21A
8
5000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4000
电容（pF）
V
DS
= 10V
20V
C
国际空间站
6
15V
4
3000
2000
C
OSS
2
1000
C
RSS
0
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
图8.电容特性。
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
100
R
DS （ ON）
极限
10
10s
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
100s
1ms
10ms
100ms
1s
80
60
1
DC
40
0.1
20
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P（ PK）
0.01
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
t
2
单脉冲
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS8670版本D1 （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
商标
以下包括注册和未注册商标和服务标志，由仙童半导体公司和/或其全球拥有
subsidianries ，并且并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
EZSWITCH *
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
快
FastvCore
FlashWriter
*
tm
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MillerDrive
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
tm
PDP- SPM
Power220
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SupreMOS
SyncFET
电源特许经营
tm
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
超FRFET
的UniFET
VCX
* EZSWITCH 和FlashWriter
是系统通用公司的注册商标，由仙童半导体公司授权使用。
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担OUT的任何责任
应用程序或使用本文所描述的任何产品或电路;它也没有传达任何根据牌照
ITS专利权，也没有他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的条款
全球条款和条件，特别是THEREIN保证，其中包括这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.
生命支持设备或系统的设备或系统当中，
（ a）打算通过外科手术移植到体内或（b ）
支持或维持生命，和（c） ，其不履行时，
适当地使用按照提供的使用说明
在标签，可以合理预期导致
显著的伤害到用户。
D
2.
在生命支持，设备的任何部分的一个关键组成部分
或系统，其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改，恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知，随时变更，以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改，恕不另行通知，以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I33
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
FDS8670版本D1 （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
2006年8月
FDS8670
tm
30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
该器件专为改善
的DC-DC变换器的效率。使用新的
在MOSFET的施工工艺，各种
栅极电荷和电容的元件已
优化，以减少开关损耗。低门
性能和非常低的米勒电荷可实现出色
既自适应和固定死区时间的表现
栅极驱动电路。非常低的RDS（ON）已
维持提供了极其灵活的设备。
特点
21 A， 30 V
最大
DS （ ON）
= 3.7毫欧@ V
GS
= 10 V
最大
DS （ ON）
= 5.0毫欧@ V
GS
= 4.5 V
高性能沟道技术极低
R
DS （ ON）
和栅极电荷
最小的Qgd （ 5.5 NC典型值）
100% R
G
测试（ 0.9
典型）
符合RoHS
应用
高效率DC- DC转换器：
笔记本电脑的Vcore电源
电信砖同步整流器
多用途负载点
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
P
D
V
GSS
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
21
105
2.5
1.2
1
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8670
设备
带尺寸
13’’
FDS8670
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS8670版本C （ W）
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
电气特性
符号
BV
DSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 A
最小典型最大单位
30
39
1
±100
1
1.4
–5
3.3
4.2
4.4
118
4040
1730
160
0.2
0.9
12
11
56
68
1.5
21
20
90
108
82
42
3.7
5.0
5.5
3
V
毫伏/°C的
A
nA
V
毫伏/°C的
m
开关特性
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
= ±20 V,
V
DS
= V
GS
,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250 A
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 21 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 21 A，T
J
=125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 21 A
g
FS
C
国际空间站
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
1.2
V
ns
A
nC
动态特性
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
I
RM
Q
rr
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
总栅极电荷在V
GS
= 10V
总栅极电荷在V
GS
= 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
V
DD
= 15 V,
I
D
= 21 A
58.5
30
9.5
5.5
漏源二极管的特性和最大额定值
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.1 A
（注2 ）
0.7
51
1.5
37
二极管的反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
I
F
= 21 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
A） 50 ° / W时，
2
装在一个1在
2盎司纯铜垫
B） 105 ° / W时，
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
三） 125° / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS8670版本C （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
105
87.5
I
D
，漏电流（ A）
70
52.5
35
17.5
0
0
V
GS
= 10V
6.0V
4.5V
3.5V
3.0V
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
3.4
V
GS
= 2.5V
2.8
2.2
1.6
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
2.5V
1
6.0V
10V
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
0.4
0
35
70
I
D
，漏电流（ A）
105
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.011
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 21A
V
GS
= 10V
1.4
I
D
= 10.5A
0.008
1.2
1
T
A
= 125
o
C
0.005
0.8
T
A
= 25
o
C
0.002
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
图3.导通电阻变化与
温度。
105
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1000
I
S
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
V
DS
= 5V
100
10
1
0.1
0.01
25
o
C
-55
o
C
I
D
，漏电流（ A）
70
T
A
= 125
o
C
35
T
A
=125
o
C
-55
o
C
0.001
0
1
25 C
o
0.0001
3.5
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS8670版本C （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
典型特征
（续）
10
V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= 21A
8
5000
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
4000
电容（pF）
V
DS
= 10V
20V
C
国际空间站
6
15V
4
3000
2000
C
OSS
2
1000
C
RSS
0
0
10
20
30
40
Q
g
，栅极电荷（ NC）
50
60
0
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性。
1000
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
100
图8.电容特性。
单脉冲
R
θ
JA
= 125°C / W
T
A
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
100
R
DS （ ON）
极限
10
10s
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25 C
o
100s
1ms
10ms
100ms
1s
80
60
1
DC
40
0.1
20
0.01
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压（V ）
100
0
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，时间（秒）
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θJA
R
θJA
= 125℃ / W
P（ PK）
0.01
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
t
2
单脉冲
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，时间（秒）
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS8670版本C （ W）
FDS8670 30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
UltraFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处描述;它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款，
特别是THEREIN保证，其中包括这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I20
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