富士通半导体
数据表
DS04-21709-1E
ASSP
压电式VCO
（4至30兆赫）
M2系列（ F100 ）
s
描述
在M2系列的VCO （ F100 ） （压控振荡器），适用于频率范围4-30兆赫。
M2的系列VCO的有使用钽酸锂具有高的可靠性和可控的宽的频率范围
3
压电
单晶具有高的机电耦合系数。输出电平适用于CMOS类型的数字接口。
s
特点
宽广的频率可控范围内（在超过± 2000ppm的）
高载噪比
出色的温度稳定性
CMOS输出电平
高可靠性由于密封
s
包
14引脚DIP尺寸，金属罐包装
F
1
M2系列（ F100 ）
s
绝对最大额定值（见警告）
参数
符号
V
CC
V
IN
T
a
T
英镑
—
等级
-0.5到+7.0
-0.5到+7.0
-10至+70
-40至+100
+4至+30
单位
V
V
°C
°C
兆赫
电源电压
控制电压
工作温度
储存温度
频带
警告：
如果将上述持久性设备损坏，可能会发生
绝对最大额定值
被超过。
功能操作应限制条件中的业务部门详细
此数据表。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
s
推荐工作条件
参数
符号
V
CC
V
IN
T
a
价值
4.75至5.25
+0.0至+5.0
-10至+70
单位
V
V
°C
电源电压
控制电压
工作温度
s
标准频率
频率
12.288兆赫
13.500兆赫
14.318兆赫
18.432兆赫
21.053兆赫
24.576兆赫
25.175兆赫
27.000兆赫
28.636兆赫
应用
对于音频
视频
视频
对于音频
视频
对于音频
视频
视频
视频
产品型号
FAR-M2DB-12M288-F100
FAR-M2DB-13M500-F100
FAR-M2DB-14M318-F100
FAR-M2DB-18M432-F100
FAR-M2DB-21M053-F100
FAR-M2DB-24M576-F100
FAR-M2DB-25M175-F100
FAR-M2DB-27M000-F100
FAR-M2DB-27M636-F100
3
M2系列（ F100 ）
s
典型特征
部件号： FAR - M2DB - 27M000 -F100
1.振荡频率与控制Votage
振荡频率（ PPM ）
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
控制电压（V）
27.000兆赫
2.频率稳定度随着温度
500
400
振荡频率（ PPM ）
300
200
100
0
100
200
300
400
500
–20
–10
0
10
20
30
40
50
60
（ TA = + 25 ° C基准电压源）
V
IN
= +2.5 V
70
80
温度（℃）
3.频率稳定度和VCC的关系
200
振荡频率（ PPM ）
150
100
50
0
–50
–100
–150
–200
4.50
4.75
工作电压（V ）
5.00
5.25
(V
CC
= 50参考）
V
IN
= +2.5 V
5.50
5
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