FDS4953
典型特征
10
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -5A
8
-15V
电容（pF）
6
V
S
= -5V
-10V
800
700
600
C
国际空间站
500
400
300
C
OSS
200
100
C
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图7.栅极电荷特性。
100
1ms
10ms
100ms
1s
1
DC
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
，漏源电压（V ）
10s
P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
R
DS （ ON）
极限
-I
D
，漏电流（ A）
10
100 s
50
图8.电容特性。
40
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
，时间（秒）
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R（T ） ，规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
（吨） = R（T） + R
θ
JA
R
θJA
= 135 ° C / W
P（ PK）
0.02
0.01
0.1
0.1
0.05
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS4953版本D1 （ W）
