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FDS4953
2002年5月
FDS4953
双路30V P沟道PowerTrench
MOSFET
概述
这个P
声道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要大范围给驱动器的应用
额定电压( 4.5V - 25V ) 。
特点
-5 A , -30 V
R
DS ( ON)
= 55毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS ( ON)
= 95毫欧@ V
GS
= –4.5 V
低栅极电荷( 6nC典型值)
开关速度快
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
高功率和电流处理能力
应用
电源管理
负荷开关
电池保护
D2
D
D1
D
D2
D
D
D1
5
6
7
G1
S1
G
G2
S
S2
S
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
销1
SO-8
8
1
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
–5
–20
2
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
1.6
1
0.9
-55到+175
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4953
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS4953
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS4953版本D1 ( W)
FDS4953
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
R
DS ( ON)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V,
V
GS
= –20 V,
V
GS
= 20 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–23
–1
–100
100
–1
–1.7
4.5
46
70
63
–20
10
55
95
85
–3
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
m
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= –10 V,
I
D
= –5 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –3.3 A
V
GS
= -10 V,I
D
= ± 5 A,T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V,
V
DS
= –5 V
I
D
= –5 A
I
D(上)
g
FS
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
528
132
70
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
7
13
14
9
14
24
25
17
9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –5 V
I
D
= –5 A,
6
2.2
2
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= –1.3 A
电压
–1.3
(注2 )
A
V
–0.8
–1.2
一) 78 ° C / W时,
安装在0.5英寸
2
2盎司纯铜垫
B) 125 ° C / W时,
安装在0.02
in
2
的2盎司垫
C) 135 ° C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS4953版本D1 ( W)
FDS4953
典型特征
30
-5.0V
V
-I
D
,漏电流( A)
20
-4.5V
V
-4.0V
10
R
DS ( ON)
,
漏源导通电阻
V
GS
= -10V
-6.0V
2
1.8
V
GS
=-4.0V
1.6
-4.0V
1.4
-5.0V
-6.0V
1.2
1
-7.0V
-8.0V
-10V
-3.5V
-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
,漏源极电压( V)
0.8
0
6
12
18
24
30
-I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.25
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
,
漏源导通电阻
I
D
= -5A
V
GS
= -10V
1.4
I
D
= -2.5A
0.2
1.2
0.15
T
A
= 125
o
C
0.1
T
A
= 25
o
C
0.05
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
,结温(
o
C)
0
2
4
6
8
10
-V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化与
温度。
15
-I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= -5V
12
-I
D
,漏电流( A)
125
o
C
9
T
A
= -55
o
C
25
o
C
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
V
GS
=0V
T
A
= 125
o
C
1
25
o
C
0.1
-55
o
C
0.01
10
6
3
0.001
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
GS
,门源电压( V)
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS4953版本D1 ( W)
FDS4953
典型特征
10
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -5A
8
-15V
电容(pF)
6
V
S
= -5V
-10V
800
700
600
C
国际空间站
500
400
300
C
OSS
200
100
C
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
,漏源极电压( V)
Q
g
,栅极电荷( NC)
图7.栅极电荷特性。
100
1ms
10ms
100ms
1s
1
DC
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏源电压(V )
10s
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
R
DS ( ON)
极限
-I
D
,漏电流( A)
10
100 s
50
图8.电容特性。
40
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
,时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
D = 0.5
0.2
R
θ
JA
(吨) = R(T) + R
θ
JA
R
θJA
= 135 ° C / W
P( PK)
0.02
0.01
0.1
0.1
0.05
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS4953版本D1 ( W)
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
UHC
SMART START
UltraFET
SPM
VCX
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师H5
LXE1710 ê
估价
B
OARD
U
SER
G
指南




 

 

 
A
M I C R O 2 S ê M I




C 0 M·P一N Y
版权
2000
修订版1.1 , 2000-12-01
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街,加登格罗夫,CA。 92841 , 714-898-8121 ,传真: 714-893-2570
第1页
LXE1710 ê
估价
B
OARD
I
NTRODUCING
LX1710 / 1711一
UDIO
最大
U
SER
G
指南
感谢您在最新一代AudioMAX产品的兴趣。封闭式LXE1710评价
董事会是一个全功能的单声道放大器,旨在展示“新的和改进的”切换D类
功放IC ,从LINFINITY Microsemi的。该LX1710 / 1711是一个完全新的控制器设计
卓越的性能在LX1720立体控制器IC 。主要改进包括更好的信噪比,噪音更低
因此,地板,并降低了总谐波失真产生了多少“安静”和“清洁”发声放大器。
该评估板已配置了电源/电池挂钩易于使用的接线端子连接
和扬声器连接。一个RCA插孔或独立的音频+/-引脚允许快速接口,音频源。
还提供了跳线来启用/禁用放大器(休眠控制),并关闭音频输入(静音
控制)。以最小的设置中,用户可以收听到放大器中的一个是几分钟的事情。
该LXE1710评估板可
 



                !

e
LX1711能够处理更高的电源电压( 7V至25V ),并提供超过50W的连续输出功率
  ! 

 

????? " ???? ?? " ? ?? ????? ??? ? ??

 !   

??? ??? " ? ?? ?

 

无论是LX1710和LX1711从单电源电压下工作。
变化的频率响应为其他负载优化。
再次感谢您对新的“安静” ,高效率D类音频放大器的LINFINITY兴趣
Microsemi的。请让我们知道您的想法,并敬请期待未来的产品发布到我们的AudioMAX家庭
的产品。
此致,
Microsemi的LINFINITY
http://www.linfinity.com
(714) 898-8121
版权
2000
修订版1.1 , 2000-12-01
Microsemi的
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11861西大街,加登格罗夫,CA。 92841 , 714-898-8121 ,传真: 714-893-2570
第2页
LXE1710 ê
估价
B
OARD
T
干练
C
ONTENTS
U
SER
G
指南
LX1710 / 1710 AudioMAX评估板特性和电路描述
.............................4
输入补偿
输出级
滤波器级
快速入门指南
............................................................................................................................................5
应用原理
...................................................................................................................................6
电气特性
..............................................................................................................................7
性能图
......................................................................................................................................8
应用信息
滤波器的设计权衡( 1级对比2-Stage).............................................................................................9
LC滤波器Design...........................................................................................................................................9
MOSFET Selection....................................................................................................................................10
感应器Selection......................................................................................................................................12
电容的选择...................................................................................................................................13
栅极电阻............................................................................................................................................14
振荡器配置.............................................................................................................................14
多通道要求和频率同步............................................ ...................... 14
PCB布局...............................................................................................................................................15
电路板布局
..................................................................................................................................................16
印刷电路板
...................................................................................................................................17
材料清单
..............................................................................................................................................18
版权
2000
修订版1.1 , 2000-12-01
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街,加登格罗夫,CA。 92841 , 714-898-8121 ,传真: 714-893-2570
第3页
LXE1710 ê
估价
B
OARD
U
SER
G
指南
产品型号
LX1710CDB
LX1711CDB
LXE1710
产品
AudioMAX高
富达控制器IC
AudioMAX高
电源控制器IC
LX1710 AudioMAX
评估板
描述
V
DD
= 7V至15V ,开关D类单声道
功放IC, 28引脚SSOP封装。
V
DD
= 7V至25V ,开关D类单声道
功放IC, 28引脚SSOP封装。
全面投产单声道音频功率放大器。
LX1710 / 1711一
UDIO
MAX ê
估价
B
OARD
F
EATURES和
C
IRCUIT
D
ESCRIPTION
完全组装的单评估板
LX1710 D类控制器IC
提高信噪比和本底噪声性能
25W的典型( LX1710 , 15V输出功率
DD
,
支持完整的音频带宽
     
接线端子连接器
电压和扬声器连接
RCA插头音频输入信号
供应
  

  

54W的典型( LX1711 , 25V输出功率
DD
,
该AudioMAX评价功放板允许
用户能够快速地连接和评估LX1710
开关D类单声道控制器IC 。易于
连接接线端子和RCA插头的
提供用于连接电源,扬声器和音频
输入连接。单级输出滤波器具有
被配置为驱动一个4
    
音频带宽扩增(参见应用
部分LC滤波器设计组件选择,
计算,并建议电感器和电容器
对于其它负载值)。该LXE1710评价
主板采用单电源电压。
D类放大器控制器IC需要
外部元件的数量最少,以创建一个
完整的放大器解决方案。见LXE1710评价
材料电路板原理图和比尔
具体细节。
D类放大器是一种“开关”
放大器,其将一个低电平,模拟音频输入
信号转换成一个高功率,脉宽调制
(PWM)输出。的开关频率(500kHz
典型的,但可以调整)比要高得多
音频带宽( 20Hz至20kHz ) ,并且是很容易
滤出用一个简单的LC滤波器。支持
电路可以大致分为三个区域
(输入电路,输出功率级和输出滤波器)。
I
NPUT
C
OMPENSATION
第一组是补偿网络和
控制设置的组件。这些电阻和
电容设置控制器的工作频率,
响应特性,而比较器的斜坡
根本D类操作。
O
安输出
S
TAGE
接下来的部分是输出级。该控制器
IC通过控制外部产生PWM输出
场效应管连接在全桥配置。全
桥式结构连接的单间
电源电压( PVDD )和地(PGND )与
输出电桥驱动的LC滤波器级的。
因为FET是要么完全“接通”或全“断” ,
D类拓扑结构是极为有效的(高达85%的
典型值) ,电路的功耗是最小的,而
最大功率被传递到扬声器。该
桥的输出也驱动RC低通滤波器,其
提供反馈,用于通过所述控制环
FBK +和FBK-投入。
F
ILTER
S
TAGE
的单级,第二级LC滤波器被用来
除去开关频率。频率
响应和角频率可以很容易地
对于各种负载的优化调整。在LC
评估电路板的元件值已
选择了一个4
? ???? ! ??? ?? " ???? ?? ? # ????? ???? $ ?
对于组件的选择。
版权
2000
修订版1.1 , 2000-12-01
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街,加登格罗夫,CA。 92841 , 714-898-8121 ,传真: 714-893-2570
第4页
LXE1710 ê
估价
B
OARD
Q
快速
S
馅饼
G
指南
该LXE1710评估板是一个全功能的,
D类放大器。连接到一个单一的供给
电压(VDD从是电池或电源),
扬声器和音频源的所有要求
开始评估放大器和听音乐。
下面简单介绍一下必要的连接和
控制跳线。
1 )检查评估套件的内容:易于
使用放大器都包含在一块电路板上。
目视检查,看看董事会或任何
在运输过程中的组件被损坏。
所有组件都位于顶侧
除了去耦电容的印刷电路板,
C17 。该LX1710 / 1711数据表的复印件
也应封闭或PDF版本可
从Microsemi.com下载
网站
( http://www.microsemi.com/datasheets/MSC1580.PDF ) 。
U
SER
G
指南
可用于驱动其他扬声器负载而
频率响应可能不是最优的。看
LC滤波器设计节推荐
电感器和电容器的修改。
4 )音频输入接口:连接音频
源向所述的RCA插座CN1,音频输入。为
其它类型的接口,所述音频输入信号可以
还利用被连接到放大器板
在J3 (输入和在+ )的位置。带线插头
可以插入到J3进行连接。
5 )跳线选择控制: “开/关”或
使该模块进行控制的
SLEEP /信号。
跳线J1连接
SLEEP /为“on”或“off” 。 SLEEP /是一个积极的
低控制。跳线J2连接MUTE
控制,启用/禁用音频输入
到放大器。 MUTE(静音)是一个积极的高信号。
请参阅下表。
6)电源:如果正在使用一个电源,
确保它被设置为正确的电压电平
并接通电源。
7 )音频来源:确保音频源
信号被设置到最小水平。启动或“玩”
音频源和调整源体积
所希望的水平。
8 )听AudioMAX :如果放大器不是
正常运行,验证前面的步骤或
联系LINFINITY技术援助( 714 )
898-8121.
扬声器+
供电+ V
扬声器 -
2)电源和接地连接:电压
电源和接地连接是
通过接线端子TB1 。将您的“ + ”
( + 7V至+ 15V )电源或电池的
+ TB1的V输入。连接您的供应或
电池地面TB1的GND输入。
请确保正确积极地
连接开启之前提出
电源。
3 )扬声器连接:放大器的设计
?? ????? ? ??? $ ?? ?? ??????? ! # ???? " ? ???????
“+”和“ - ”与+ OUT和的-OUT输入
分别接线端子TB2 。该放大器
跨接器
关闭
J1跳线:
睡眠/
J2跳线:
MUTE(静音)
扩音器
启用
( SLEEP /是
OFF )
音频输入
启用
( MUTE是
OFF )
跨接器
ON
扩音器
( SLEEP /是
上)
音频输入
( MUTE为ON )
7V - 15V的LX1710
7V - 25V的LX1711
跨接器
漂浮的
扩音器
( SLEEP /是
上)
音频输入
启用
( MUTE是
OFF )
以电源供应器
可选
音频输入 -
可选
音频输入+
音频
来源
 
跳线设置
版权
2000
修订版1.1 , 2000-12-01
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街,加登格罗夫,CA。 92841 , 714-898-8121 ,传真: 714-893-2570
第5页
1999年2月
FDS4953
双P沟道逻辑电平的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这些P沟道
逻辑
电平MOSFET的
利用飞兆半导体先进的生产
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻,但保持低
栅极电荷为出色的开关性能。
这些装置非常适用于便携式电子
应用:负载开关和电源管理,
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
-5 A , -30 V.
DS ( ON)
= 0.053
@ V
GS
= -10 V,
R
DS ( ON)
= 0.095
@ V
GS
= -4.5V.
低栅极电荷( 8nC典型值) 。
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D2
D1
D1
S
FD 53
49
S2
G2
5
6
7
8
4
3
2
1
SO-8
1
S1
G1
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非另有说明
评级
单位
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
-30
±20
-5
-20
2
1.6
1
0.9
-55到150
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
1999仙童半导体公司
FDS4953 Rev.C
电气特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V,I
D
= -250 A
I
D
= -250 μA ,参考25℃
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
I
D
= 250 μA ,参考25
o
C
V
GS
= -10 V,I
D
= -5 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -3.3 A
o
-30
-20
-1
-10
100
-100
-1
-1.7
4
0.04
0.055
0.058
-20
11
750
220
100
0.053
0.085
0.095
-3
V
毫伏/
o
C
A
A
nA
nA
V
毫伏/
o
C
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
(注2 )
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
V
GS ( TH)
/
T
J
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项:
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V,I
D
= -5 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
pF
pF
pF
22
25
38
27
12
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-1.3
A
V
动态特性
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15 V,I
D
= -1 A
V
= -10 V ,R
= 6
12
14
24
16
V
DS
= -15 V,I
D
= -5 A,
V
GS
= -5 V
8
1.8
3
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,I
S
= -1.3 A
(注2 )
-0.75
-1.2
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
is
通过设计保证,同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
O
在一个0.5℃ / W的
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
O
在0.02 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
O
在一0.003 C / W
2
垫2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
FDS4953 Rev.C
典型电气特性
20
- I
D
,漏源电流(A )
2.5
15
-4.0V
R
DS ( ON)
归一化
-6.0V
-4.5V
漏源导通电阻
V
GS
= -10V
V
GS
= -3.5V
2
-4.0 V
1.5
-4.5 V
-5.5 V
-7.0 V
10
-3.5V
5
1
-10V
-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
- V
DS
,漏源电压(V )
0.5
0
5
10
- I
D
,漏电流( A)
15
20
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
戴恩电流和栅极电压。
0.2
R
DS ( ON)
导通电阻( OHM )
,
1.6
漏源导通电阻
1.4
I
D
= 5A
V
GS
= -10V
I
D
= -2.5A
0.15
R
DS ( ON)
归一化
1.2
0.1
1
TJ = 125°C
0.05
0.8
25° C
0
2
4
6
8
10
- V
GS
,门源电压( V)
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温( ° C)
图3.导通电阻变化与
温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
20
10
V
DS
= -5V
- I
D
,漏电流( A)
16
TJ = -55°C
25°C
125°C
-I
S
,反向漏电流( A)
20
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
1
12
0.1
8
0.01
4
0.001
0
0.0001
1
2
3
4
5
6
-V
GS
,门源电压( V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS4953 Rev.C
典型电气特性
(续)
-V
GS
,栅源电压(V )
10
2000
I
D
= -5A
1000
电容(pF)
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
西塞
6
300
4
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
100
科斯
2
CRSS
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
,栅极电荷( NC)
50
0.1
0.3
1
3
7
15
30
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
50
I
LIM
N)
(O
S
RD
T
30
10
1m
10m
s
0u
s
- I
D
,漏电流( A)
10
3
25
20
15
10
5
0
0.01
单脉冲
R
θ
JA
=135°C/W
T
A
= 25°C
10
0.5
0m
10
1s
s
s
0.05
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
0.3
1
2
DC
0.01
0.1
功率(W)的
s
5
10
30
50
0.1
0.5
10
50 100
300
- V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 135 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
10
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS4953 Rev.C
SO- 8磁带和卷轴数据和封装尺寸
SOIC ( 8lds )包装
CON组fi guration :
图1.0
包装说明:
EL ECT ROST AT IC
SEN SIT IVE器件
DO不要选丁字施P或STO RE EAR ST RO吴EL ECT ROST AT IC
EL ECT RO M AGN ETI C,M AG NET IC ORR ADIO ACT IVE FI ELD S
TNR ATE
PT NUMB ER
PEEL STREN GTH MIN ___ __ ____ __ ___gms
MAX ___ ___ ___ ___ _克
防静电盖带
防静电标签
SOIC - 8零件运胶带。载带是
从耗散取得(碳填写)聚碳酸酯
树脂。盖带是一种多层膜(热激活
粘合剂的性质) ,主要由聚酯薄膜,
粘合剂层,密封剂和防静电喷洒剂。
在标准选项,这些摇摇晃晃的部分是随
2500个单位13"或330厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色,是由聚苯乙烯塑料(抗
静电涂层) 。其他选项来在500个单位或7"
177厘米卷筒直径。这与一些其他选项是
在包装信息表中进一步描述。
这些完整卷轴是单独的条码标签和
放置在一个标准的中间框(示于
图1.0 )制成的可回收瓦楞纸牛皮纸。
一箱最多包含两个卷轴。而这些盒子
放在里面的条形码标签包装箱其中
有不同的大小取决于零件的数量
出货。
静电消散
压纹载带
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
F852
NDS
9959
SOIC ( 8lds )包装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸(mm )
每箱数量最多
每单位重量(克)
每卷重量(kg )
注/评论
标准
(无流量代码)
TNR
2,500
13"迪亚
343x64x343
5,000
0.0774
0.6060
L86Z
铁路/地铁
95
-
530x130x83
30,000
0.0774
-
F011
TNR
4,000
13"迪亚
343x64x343
8,000
0.0774
0.9696
D84Z
TNR
500
7"迪亚
184x187x47
1,000
0.0774
0.1182
F852
NDS
9959
销1
SOIC - 8单元定位
343毫米X 342毫米X 64毫米
标准的中级箱
防静电标签
F63TNR标签样本
LOT : CBVK741B019
FSID : FDS9953A
数量: 2500
产品规格:
F63TNLabel
F63TN标签
防静电标签
(F63TNR)3
D / C1 : D9842
D / C2 :
QTY1 :
QTY2 :
SPEC REV :
CPN :
N / F: F
SOIC ( 8lds )带片头和片尾
CON组fi guration :
图2.0
载带
盖带
组件
拖车带
640毫米最小或
80皆空
引导带
1680毫米最小或
210皆空
1999年7月,修订版A
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDS4953
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
FDS4953
FAIRCHILD
2019
79600
SOP-8
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
FDS4953
FAIRCHILD/仙童
22+
16000
SOP8
原装正品自家库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881724897 复制

电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
FDS4953
FDS
21+
30
sop8
原装现货,特价
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
FDS4953
FAIRCHILD/仙童
22+
33000
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
FDS4953
Fairchild(飞兆/仙童)
24+
9600
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
FDS4953
FAIRCHILD/仙童
24+
30000
原装正品,可含税供应。品质保障
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电话:13410941925
联系人:李先生【原装正品,可开发票】
地址:深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
FDS4953
Fairchild(飞兆/仙童)
24+
7800
原装正品现货,可开增值税专用发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ:839051306 复制
电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
FDS4953
Fairchild
2023+
669000
SOP8
只做原装,可开税票13%,大量现货******
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:575915585 复制

电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
FDS4953
Fairchild(飞兆/仙童)
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
FDS4953
FAIRCHILD
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