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APTM50TDUM65PG
三重双共源
MOSFET功率模块
D1
D3
D5
V
DSS
= 500V
R
DSON
= 65mΩ （典型值） @ TJ = 25°C
I
D
= 51A @ T C = 25°C
应用
AC开关
开关电源
不间断电源
G1
G3
G5
S1
S1/S2
S3
S3/S4
S5
S5/S6
S2
G2
S4
G4
S6
G6
D2
D4
D6
特点
功率MOS 7
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
非常低的（12毫米）简介
每条腿可以很容易地并联，以实现双
三倍的共同源配置
电流能力
符合RoHS
最大额定值
500
51
38
204
±30
78
390
51
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
mJ
2006年7月
1–6
APTM50TDUM65PG - 版本1
D1
D3
D5
G1
S1/S2
S1
S2
G2
S3/S4
G3
S3
S4
G4
S5/S6
G5
S5
S6
G6
D2
D4
D6
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。请参阅应用笔记
APT0502上www.microsemi.com
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