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APTM50TDUM65PG
典型性能曲线
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
0.35
热阻抗（ ℃/ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0.3
0.1
0.05
0.0001
0.001
0.9
0.7
0.5
单脉冲
0.01
0.1
1
10
0
0.00001
矩形脉冲持续时间（秒）
低电压输出特性
200
I
D
，漏电流（ A）
160
120
80
40
5.5V
V
GS
=10&15V
7V
6.5V
6V
5V
150
I
D
，漏电流（ A）
8V
Transfert特点
V
DS
＆ GT ;我
D
（上） xR的
DS
（上）最大
250μs的脉冲测试@ < 0.5占空比
125
100
75
50
25
0
T
J
=25°C
T
J
=125°C
T
J
=-55°C
0
0
5
10
15
20
V
DS
，漏源极电压（ V）
R
DS
（ ON）与漏电流
25
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
直流漏电流与外壳温度
60
I
D
，直流漏电流（ A）
60
R
DS
（上）漏源导通电阻
1.1
1.05
归一
V
GS
= 10V @ 25.5A
V
GS
=10V
50
40
30
20
10
0
1
V
GS
=20V
0.95
0.9
0
10
20
30
40
50
I
D
，漏电流（ A）
25
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4–6
APTM50TDUM65PG - 版本1
2006年7月
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
150
