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热特性
4
热特性
表4. MPC885 / 880热阻数据
等级
结到环境
1
自然对流
环境
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
空气溢流（200英尺/分钟）
单层电路板（ 1S）
四层板（ 2S2P ）
结对板
4
结到外壳
5
表4
示出的热特性为MPC885 / 880 。
符号
R
θJA
2
R
θJMA
3
R
θJMA
3
R
θJMA
3
R
θJB
R
θJC
价值
37
25
30
22
17
10
2
2
单位
° C / W
结至封装顶部
6
自然对流
空气溢流（200英尺/分钟）
Ψ
JT
Ψ
JT
温度对芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）
温度，环境温度，空气溢流外，其它元件在电路板的功耗和电路板热
性。
2
每SEMI G38-87和JEDEC JESD51-2与单层板的水平。
3
根据JEDEC JESD51-6用板水平
4
模具和根据JEDEC JESD51-8所述印刷电路板之间的热阻。主板温度
在电路板上封装附近的顶表面上进行测量。
5
表示模头与壳体顶面之间的平均热电阻通过冷板测
方法（ MIL SPEC - 883方法1012.1 ）与用于外壳温度冷板温度。对于曝光
焊盘的封装，其中所述垫预计将被焊接，结到外壳的热阻是一个模拟
值从结到裸露焊盘不接触电阻。
6
指示包装顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。
1
连接点
5
功耗
表5.功耗（P
D
)
裸片修订
公共汽车
模式
中央处理器
频率
66兆赫
1:1
0
2:1
1
典型
表5
提供功耗信息。该模式是1： 1，其中， CPU和总线速度是相等的，并且
2： 1，其中， CPU的频率是两倍的总线速度。
典型
1
310
350
430
最大
2
390
430
495
单位
mW
mW
mW
80兆赫
133兆赫
在V功率耗散
DDL
= V
DDSYN
= 1.8V，和V
DDH
为3.3 V.
MPC885 / MPC880硬件规格，第3版
10
飞思卡尔半导体公司
