CDCE421
SCAS842 - 2007年4月
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进入
编程模式
科幻gure 3
显示数据的定时行为将被写入SDATA 。所示的序列是00 1100如果
高周期是短吨
1
这被解释为0，如果为高电平期间是只要吨
3
这被解释为1 。
此行为是由时间t移位输入信号SDATA实现
5
到信号SDATA_DELAYED 。如
可以看出，在
图3中，
SDATA_DELAYED可以用来锁存（或选通） SDATA 。时序规范
对于T
1
–t
7
, t
r
和叔
f
示于
网络连接gure 3 。
t
7
CE
t
6
t
2
t
1
t
f
t
3
t
4
t
r
SDATA
t
5
SDATA
延迟
数据
0
0
1
1
0
0
T0042-05
民
f
SDATACLK
t
1
t
2
t
2
t
3
t
4
t
4
t
6
t
7
t
R和
t
f
编程的重复频率
低电平信号：高脉冲持续时间
低电平信号：低脉冲持续时间，而进入编程序列
低电平信号：低脉冲持续时间，而编程位
高电平信号：高脉冲持续时间
高电平信号：低脉冲持续时间，而进入编程序列
高电平信号：低脉冲持续时间，而编程位
超时时
进入编程模式
和
进入回读模式
直到下一位必须打开
前第一SDATA可移入CE-时候
上升时间和下降时间
16
3t
60
典型值
70
0.2 t
0.8 t
0.8 t
0.8 t
0.2 t
0.2 t
最大
80
单位
千赫
ms
ms
ms
ms
ms
ms
s
ms
2
ns
T = 1 /女
SDATACLK
图3. SDATA / CE时序
EEPROM编程
通过WORD5写WORD0加载在内存中的所有寄存器，并回到状态2 ，然后将后
国3 （ EEPROM编程，无锁）或国家4 （ EEPROM编程与锁） ，内容
WORD0 - WORD5被保存在EEPROM中。等待10毫秒国3或国4 ，当编程EEPROM
移动到状态2前（空闲状态） 。
注意：
当通过串行总线写入设备的功能测试和验证，
只有RAM正在被访问。
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