CDCE421
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SCAS842 - 2007年4月
完全集成的宽电压范围，低抖动，晶体振荡器时钟发生器
特点
3.3V单电源供电
高性能时钟发生器
结合晶体振荡电路和
集成的频率合成器
低输出抖动则低至380 fs的（有效值
综合10间kHz至20 MHz的）
低相位噪声在高频;在708
兆赫它小于-109 dBc的/赫兹在10千赫
和-146 dBc的/ Hz的10 - MHz偏移从
支架
支持晶体频率之间
27.35 MHz至38.33 MHz的
输出频率范围为10.9兆赫了
到766.7 MHz和875.2从MHz到
1175兆赫
低电压差分信号（ LVDS ）
输出， 100 Ω差分关闭芯片
终止， 10.9 MHz至400 MHz的频率
范围
A
A
A
差分低压正
发射极耦合逻辑（ LVPECL ）输出，
10.9 MHz至1.175 GHz的频率范围
两个完全集成的压控
振荡器（VCO ），支持宽输出
频带
完全集成的可编程环路滤波器
典型功耗为240毫瓦的LVDS
模式和300毫瓦的LVPECL模式
芯片使能控制引脚
简单的串行接口允许编程
生产后
集成的片上非易失性存储器
（ EEPROM ）来存储设置，而无需
以应用高电压的装置
死或QFN24封装
ESD保护超过2kV的HBM
工业温度范围-40° C至85°C
应用
低成本，高频率晶体振荡器
CE
SDATA
输出使能/编程接口和EEPROM的配置设置
环路滤波器
PFD /电荷泵
VCO 1
反馈
分频器
预分频器
X - TAL
LVPECL或LVDS
输出分频器
水晶
振荡器
输入
CLK
NCLK
VCO 2
B0216-01
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2007 ，德州仪器
CDCE421
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描述
该CDCE421是一个高性能，低相位噪声的时钟发生器。它有两个完全集成，低噪音，
基于LC的电压控制振荡器（VCO ），该操作在1.750 GHz的- 2.350 - GHz频率范围内。它
具有集成的晶体振荡器，工作在结合外部AT切割晶体，以产生一个
对于基于PLL频率合成器的稳定频率参考。
输出频率（f
OUT
）是正比于输入晶体频率（f
XTAL
） 。分频因子，
反馈分压器，输出分频器， VCO和选择是什么设置（F
OUT
）相对于（六
XTAL
） 。对于所期望的
频率（f
OUT
） ，在看
表1
并且发现在同一行中的对应设置。利用
式（1）
计算
所需的所希望的输出的精确的晶体振荡器频率。
f
XTAL
+
OutputDivider
FeedbackDivider
f
OUT
(1)
输出分频器
(1)
= 1 ，2，4 ，8，16或32个
反馈分频器
(2)
= 12 ，16，20 ，或32个
(1)
输出分频器和反馈分频器应该从在同一行
表1中。
(2)
反馈分频器相对于预分频器设置在自动设置
表1中。
在CDCE421的高层次框图如图
图1 。
该CDCE421支持一个差分LVDS时钟输出或一个差分LVPECL输出。
所有的设备设置均通过了德州仪器专有简单的串行接口。
该器件工作在3.3V电源环境的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
该CDCE421以裸片形式或采用QFN -24封装。
新1
新2
水晶
振荡器
环路滤波器
PFD /
电荷泵
VCO 1
1890
VCO 2
2200
反馈
分频器
12 ，16，20和32
LVPCL
预分频器
2，第3 ，第4和第5
CE
1-Pin
接口
和
控制
SDATA
LVDS
EEPROM
产量
分频器
1 ，2，4 ，8，16和32
B0217-01
在CDCE421图1.高级框图
在CDCE421 ，反馈分频器自动相对于该预分频器设置设定。的产品
预分频器和反馈分频器将不是60或64 ，如图
表1
保持控制回路
稳定。
2
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设备设置示例
下面的例子说明了计算所需的必要的AT切晶体频率的程序
生成所期望的输出频率。
假定要求生成的622.08 MHz的输出频率，
表1
显示所希望的
输出频率位于583.5和680兆赫之间。
所需的输出
频率（MHz）
从
650.0
583.5
510.0
(1)
To
766.7
650.0
587.5
所需的输入
水晶
频率（MHz）
从
32.500
29.174
31.875
To
38.333
32.500
36.719
VCO 2
VCO 1
VCO 2
1
1
1
3
3
4
20
20
16
VCO
选择
产量
分频器
预分频器
环境
反馈
分频器
(1)
反馈分压器相对于预分频器设置自动设置。
因此这意味着该设备必须与配置：
VCO =
VCO 1
输出分频器=
1
预分频器设置=
3
要确定需要得到622.08 MHz的这些设置合适的晶振频率，替换值成
公式1 。
f
XTAL
+
OutputDivider
FeedbackDivider
f
OUT
f
XTAL
+
1
20
622.08
+
31.154兆赫
(2)
AT切割频率应
31.154兆赫
（ 29.174兆赫和32.500兆赫之间。如图
表1）
.
串行接口和控制
该CDCE421使用，可配置一个独特德州仪器专有接口协议和
通过单个输入引脚到器件编程。该架构只允许向设备写入数据，从这个
输入引脚。读取寄存器的内容可以通过在输入引脚发送读命令来实现和
监测输出引脚（ LVDS或LVPECL ）在输出引脚不能用于读取的情况下
内容，软件控制该接口必须考虑怎样写入到EEPROM中，当它
编程。监控输出核实的编程模式，并重新上电的设备验证
该EEPROM是抱着正确的配置。
该CDCE421可以配置并经由SDATA输入引脚编程。为了这个目的，一个方波
编程序列必须被写入到设备，如以下部分中描述。在EEPROM
编程阶段，该装置需要一个稳定的V
CC
3.3 V
±
100毫伏的EEPROM的写入安全
细胞。在每个
写WordX ，
写入的数据被锁存，进行了卓有成效的，并提供先行前
实际数据被存储在EEPROM中。
下表总结了所有有效的编程命令。
SDATA
00 1100
11 1011
000 xxxx xxxx
100 xxxx xxxx
010 xxxx xxxx
110 xxxx xxxx
功能
进入
编程模式
（国家1
→
国家2 ） ;比特必须具有指定的定时指定的顺序被发送。
否则，一个
超时
发生。
进入
寄存器回读模式;
比特必须具有指定的定时指定的顺序被发送。否则，一个
超时
发生。
写WORD0
（状态2 ）
(1) (2) (3)
写字1
（状态2 ）
(1) (2) (3)
写字2
（状态2 ）
(1) (2) (3)
写WORD3
（状态2 ）
(1) (2) (3)
(1)
(2)
(3)
4
每个上升沿导致位被锁定。
之间的比特，一些较长的时间延迟可能发生，但是这对数据没有影响。
A
写WordX
预期为10位长。 10后
th
位，各自的字被锁存和它的效果可以被观察为
先行
功能。
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SDATA
001 xxxx xxxx
101 xxxx xxxx
111 xxxx xxxx
111 0101 0101
111 1111 0000
111 0000 0000
写Word4
（状态2 ）
(1) (2) (3)
写WORD5
（状态2 ）
(1) (2) (3)
功能
状态机跳：
没有定义如下事业的所有其它模式
退出到正常模式。
跳转：
输入EEPROM编程EEPROM锁
（国家2
→
状态3 ）
跳转：
输入EEPROM编程无锁定EEPROM
（国家2
→
状态4 ）
跳转：
退出EEPROM编程
（国3或国4
→
状态1 ）
写
WORD 0
POWER UP ：
读
EEPROM &
CON连接gure
上电复位
已完成
SDATA =
000 xxxx xxxx
状态1 ：空闲
正常
手术
写
WORD 1
11位
书面
SDATA =
100 xxxx xxxx
th
11位
书面
th
SDATA = 111011
写
WORD 2
11位
书面
th
SDATA =
010 xxxx xxxx
SDATA =
111 1111 1111
状态二：
程序设计
模式
60
时钟应用
th
状态5：
回读
模式
SDATA = 001100
SDATA =
110 xxxx xxxx
写
WORD 3
11位
书面
SDATA =
001 xxxx xxxx
SDATA =
101 xxxx xxxx
SDATA =
111 0101 0101
11位
书面
SDATA =
111 0000 0000
状态4：
程序设计
EEPROM
锁定
状态3：
程序设计
EEPROM
无锁定
F0016-02
th
11位
书面
写
WORD 4
th
SDATA =
111 1111 0000
th
SDATA =
111 0000 0000
写
WORD 5
注意：在国2 ，3，4和5所示，信号管脚的CE被忽略，在断电时没有任何影响。
单针接口图2.国家性流程图
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5
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