【过程CP192V小信号晶体管NPN - AMP开关晶体管芯片流程细节过程模具尺寸模具厚度BASE焊盘】,IC型号CP192V,CP192V PDF资料,CP192V经销商,ic,电子元器件-51电子网

过程

CP192V

小信号晶体管

NPN - AMP开关晶体管芯片

流程细节

过程

模具尺寸

模具厚度

BASE焊盘区

发射极焊盘区

顶面金属化

背面金属化

几何

PER 4英寸晶圆DIE总值

52,920

主体装置类型

2N3904

CMKT3904

CMLT3904E

CMPT3904

CMST3904

CXT3904

CZT3904

外延平面

13× 17 MILS

7.1 MILS

3.0 X 3.0 MILS

艾尔 - 30,000

金 - 18,000

BACKSIDE集热器

145亚当斯大街

Hauppauge的，纽约州11788美国

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传真：（ 631 ） 435-1824

www.centralsemi.com

R0 （2006年13月）

过程

CP192V

典型电气特性

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R0 （2006年13月）

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