PD - 95498A
开关电源MOSFET
应用
l
开关模式电源（SMPS ）
l
电机驱动
l
桥转换器
l
所有的零电压开关
l
LEAD -FREE
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门，雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
增强型体二极管dv / dt能力
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒
安装torqe ， 6-32或M3螺丝
IRFR3412PbF
IRFU3412PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
100V
R
DS （ ON）
最大
0.025
I
D
48A
D- PAK
IRFR3412
I- PAK
IRFU3412
马克斯。
48
34
190
140
0.95
± 20
6.4
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
48
190
A
––– ––– 1.3
V
––– 68 100
ns
––– 160 240
nC
––– 4.5 6.8
A
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 29A ，V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C，I
F
= 29A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
www.irf.com
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12/03/04
