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PD - 95498A
开关电源MOSFET
应用
l
开关模式电源(SMPS )
l
电机驱动
l
桥转换器
l
所有的零电压开关
l
LEAD -FREE
好处
l
低栅极电荷Qg结果简单
驱动要求
l
改进的门,雪崩和动态
的dv / dt坚固
l
充分界定电容和
雪崩电压和电流
l
增强型体二极管dv / dt能力
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度, 10秒
安装torqe , 6-32或M3螺丝
IRFR3412PbF
IRFU3412PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
100V
R
DS ( ON)
最大
0.025
I
D
48A
D- PAK
IRFR3412
I- PAK
IRFU3412
马克斯。
48
34
190
140
0.95
± 20
6.4
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
反向RecoveryCurrent
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
48
190
A
––– ––– 1.3
V
––– 68 100
ns
––– 160 240
nC
––– 4.5 6.8
A
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 29A ,V
GS
= 0V
T
J
≤ 125 ° C,I
F
= 29A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
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1
12/03/04
IRFR/U3412PbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
100
–––
–––
3.5
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.025
V
GS
= 10V ,我
D
= 29A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
1.0
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
59
21
17
19
68
44
37
3430
270
150
1040
170
270
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ,我
D
= 29A
89
I
D
= 29A
32
nC
V
DS
= 50V
26
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 29A
ns
–––
R
G
= 6.8
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
160
29
14
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
注意事项:
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.05
50
110
单位
° C / W
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为30A 。
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.38mH ,R
G
= 25,
I
AS
= 29A , (参见图12a )
I
SD
29A , di / dt的
420A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
*
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
2
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IRFR/U3412PbF
1000
顶部
1000
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
顶部
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
底部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
100
10
1
10
0.1
4.5V
4.5V
0.01
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
10
100
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压( V)
,
V
DS
漏极至源极电压( V)
,
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
I
D
= 48A
2.5
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
°
T
J
= 175 C
2.0
10
(归一化)
1.5
T = 25
°
C
J
1
1.0
0.5
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
0.1
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
V
GS
栅极 - 源极电压( V)
,
T
J
,结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U3412PbF
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
国际空间站
= C GS + Cgd的,
CRSS = C GD
COSS =硫化镉+ Cgd的
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
DS
ID = 29A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
16
C,电容(pF )
10000
12
西塞
8
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
4
0
0
20
40
60
80
100
Q g总栅极电荷( NC)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
1000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100.0
T J = 175℃
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
100
100sec
10
10.0
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSD ,源toDrain电压( V)
0.1
100
1000
VDS ,漏toSource电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U3412PbF
50
V
DS
不限按包
R
D
V
GS
40
R
G
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
I
D
,漏电流( A)
30
20
图10A 。
开关时间测试电路
10
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
(Z
thJC
)
1
D = 0.50
热响应
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
/ t
2
+T
C
0.1
P
DM
t
1
t
2
J
= P
DM
X Z
thJC
0.01
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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    -
    -
    -
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRFR3412PBF
Infineon Technologies
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5000
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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IR
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9600
N/A
全新原装正品现货
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRFR3412PBF
Infineon Technologies
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10000
TO-252AA (DPAK)
原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
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23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱
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IRFR3412PBF
IR
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9634
DPAK
全新原装现货,原厂代理。
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地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IRFR3412PBF
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