IRFR/U3412PbF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
100
–––
–––
3.5
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.025
V
GS
= 10V ,我
D
= 29A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
1.0
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
59
21
17
19
68
44
37
3430
270
150
1040
170
270
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ,我
D
= 29A
89
I
D
= 29A
32
nC
V
DS
= 50V
26
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 29A
ns
–––
R
G
= 6.8
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V , = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
160
29
14
单位
mJ
A
mJ
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
注意事项:
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.05
50
110
单位
° C / W
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为30A 。
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.38mH ,R
G
= 25,
I
AS
= 29A , (参见图12a )
I
SD
≤
29A , di / dt的
≤
420A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
,
T
J
≤
150°C
*
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
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