IRFB/S/SL3806PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
60
––– –––
––– 0.075 –––
––– 12.6 15.8
2.0
–––
4.0
––– –––
20
––– ––– 250
––– ––– 100
––– ––– -100
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5mAc
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
f
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
μA V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
R
G（ INT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
41
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 25A
I
D
= 25A
V
DS
= 30V
V
GS
= 10V
f
I
D
= 25A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
–––
22
5.0
6.3
28.3
0.79
6.3
40
49
47
1150
130
67
190
230
–––
30
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
有效的输出电容（能源相关）H ---
–––
有效的输出电容（时间相关）G
ns
pF
V
DD
= 39V
I
D
= 25A
R
G
= 20
V
GS
= 10V
f
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
h
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至60V
g
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
c
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
43
170
A
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
––– –––
1.3
V
–––
22
33
ns
–––
26
39
–––
17
26
nC
T
J
= 125°C
–––
24
36
–––
1.4
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
f
V
R
= 51V,
T
J
= 25°C
I
F
= 25A
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
f
T
J
= 25°C
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.23mH
R
G
= 25, I
AS
= 25A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐
使用高于此值。
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
1580A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2
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