PD - 97035A
PDP开关
特点
l
先进的工艺技术
l
优化的PDP延的关键参数，
能量回收和旁路开关的应用
l
低辐射
脉冲
等级达到降低功耗
耗散PDP延，能量回收
并通过开关应用
l
低Q
G
快速响应
l
高重复峰值电流能力
可靠运行
l
短期回落&上升时间的快速切换
l
175 ° C的工作结温
提高耐用性
l
对于稳健性重复雪崩能力
与可靠性
IRFB4227PbF
主要参数
200
240
19.7
130
175
D
D
V
DS
最大
V
DS （雪崩）
典型值。
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ 10V
I
RP
最大@ T
C
= 100°C
T
J
最大
V
V
m:
A
°C
G
S
G
D
S
TO-220AB
D
S
G
描述
这
HEXFET
功率MOSFET
是专门为设计延;能量回收&旁路开关
应用在等离子显示面板。这
MOSFET
采用最新的加工技术，以实现
每硅片面积和低辐射低导通电阻
脉冲
投资评级。这个额外的功能
MOSFET
在175℃
工作结温，高重复峰值电流能力。这些功能结合起来，
使这
MOSFET
一个高效，健壮和可靠的装置，用于PDP驱动的应用程序。
门
漏
来源
绝对最大额定值
参数
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
I
RP
@ T
C
= 100°C
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
10磅在（ 1.1N M）
马克斯。
±30
65
46
260
130
330
190
2.2
-40 + 175
300
单位
V
A
c
重复峰值电流
g
W
W / ℃，
°C
x
x
N
热阻
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
f
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
f
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
10/12/05
