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先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
IRF1010NSPbF
IRF1010NLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
PD - 95103
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 11m
G
S
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF1010NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
先进的HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师有一个非常有效和可靠的装置
用于在多种应用中使用。
I
D
= 85A
IRF1010NSPbF IRF1010NLPbF
D 2白
TO-262
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
85
60
290
180
1.2
± 20
43
18
3.6
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.85
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
03/11/04
