IR2277S/IR2177S(PbF)
此方法具有简单的优点和
成本低，但可能迫使免税一定的局限性
周期和导通时间，因为它们是由有限的
需要刷新的电荷在自举
电容。
正确的电容选择可以大大减少
这些限制。
高边续流二极管被转发
偏见
I
负载
= 0; IGBT的不同时被装
在和V
CE
可以忽略不计
V
BS
=
V
CC
V
F
I
负载
> 0 ;的负载电流流过
续流二极管
自举电容的大小
鉴于V最大坦言电压降
BS
,
亦即
V
BS
，影响因素促成
V
BS
下降主要有：
浮动部分的静态电流（I
QBS
);
浮动部分的泄漏电流（I
LK
)
自举二极管的漏电流（I
LK_DIODE
);
电荷所必需的内部电平转换器
(Q
LS
） ;典型20nC
自举电容的漏电流（I
LK_CAP
);
高侧时间（T
HON
).
V
BS
=
V
CC
V
F
+
V
FP
在这种情况下，我们有V的最高值
BS
.
打开高侧IGBT ，我
负载
流入它
和V
S
被拉起。
B）自举电阻
电阻（R
BOOT
）被放置在一系列的
自举二极管（见图20 ），以限制电流
当自举电容初始充电。我们
建议不超过一定欧姆（典型值为5 ，
最大为10欧姆），以避免增加V
BS
时间常数。充电时间最短
自举电容或用于刷新其电荷
必须对这种时间常数进行验证。
三）自举电容
对于高
T
HON
设计中的电解槽
电容器的情况下，其ESR的必须加以考虑。这
寄生电阻产生电压分压器
R
BOOT
产生于伏的电压步
BS
在第一
负责自举电容。电压步骤和
有关高速数据（dV
BS
/ dt的）应该是有限的。作为
一般情况下， ESR应满足以下
约束：
I
LK_CAP
使用电解时，只有相关
电容器，并且可以如其它类型的可以忽略
电容器被使用。我们强烈推荐使用
至少一个低ESR的陶瓷电容器（并联
电解质和低ESR的陶瓷可能会导致
有效的解决方案） 。
那么我们有：
Q
合计
=
Q
LS
+
(
I
QBS
+ +
I
LK
+
I
LK
_
二极管
+
I
LK
_
帽
)
T
HON
自举电容的最小大小是那么：
C
BOOT
民
=
Q
合计
V
BS
ESR
V
CC
≤
3
V
ESR
+
R
BOOT
小陶瓷和大型并联组合
电解电容器通常是最好的
折衷，第一充当快速充电罐
栅极电荷之用，限制所述dV
BS
/ DT由
减小，而第二等效电阻
保持V
BS
内所需的电压降
V
BS
.
D）自举二极管
二极管必须具有一个BV> 600V （或1200V
取决于应用）和一个较快的恢复时间
(t
rr
< 100纳秒） ，以尽量减少电荷的供给量
自举电容V回
CC
供应量。
一些重要的注意事项
A）电压纹波
有三种不同的情况下，使
自举电路得到导电性（参见图20）
I
负载
< 0 ;负载电流中的低侧流
IGBT显示相关的V
世隆
V
BS
=
V
CC
V
F
V
世隆
在这种情况下，我们有V的最低值
BS
.
这代表了最坏的情况下进行自举
电容大小。当IGBT关断的
VS节点被向上推的负载电流，直到
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