HMC341
v01.1007
砷化镓MMIC低噪声
放大器， 24 - 30 GHz的
安装&键合技术的毫米波MMIC的砷化镓
模具应该被直接连接到接地平面共晶或
用导电环氧树脂（见
HMC一般的装卸，安装，焊接
注） 。
50对0.127毫米（ 5 mil）厚的氧化铝欧姆微带传输线
薄膜基板被推荐用于使射频和从芯片
（图1） 。如果0.254毫米（10密耳）厚的氧化铝薄膜基材必须是
所用的模具应提高0.150毫米（ 6密耳） ，使得所述的表面
模是共面与基板的表面上。完成的一种方法
这是对0.102毫米（ 4密耳）厚的芯片附着到一0.150毫米（6密耳）厚
钼散热器（钼片），然后将附着于
接地平面（图2） 。
微带衬底应该带来尽可能靠近模具尽可能在
为了最大限度地减少键合线的长度。典型的模具与基板的间隔是
0.076毫米到0.152毫米（ 3-6密耳）。
射频旁路电容应使用在VDD输入。一个100 pF单
层电容器（共晶或导电环氧树脂装）放置无
进一步比0.762毫米（30密耳）从芯片被推荐。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
引线键合
0.076mm
(0.003”)
1
低噪声放大器 - CHIP
1 - 13
射频接地平面
0.127毫米（ 0.005 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图1 。
0.102毫米（ 0.004 “）厚的GaAs MMIC
引线键合
0.076mm
(0.003”)
操作注意事项
遵守这些注意事项，以避免造成永久性损坏。
储存：
所有的裸模被放置在任何华夫或凝胶基于ESD
保护性容器，然后密封在防静电保护袋
出货。一旦封装的ESD保护袋已经被打开，都死了
应储存在干燥的氮气环境中。
清洁度：
处理芯片在一个干净的环境。切勿尝试
清洁用液体清洁系统的芯片。
静态灵敏度：
罢工。
按照ESD防范措施，以防止ESD
射频接地平面
0.150毫米（ 0.005 “）厚
钼标签
0.254毫米（ 0.010 “）厚的氧化铝
薄膜基材
图2中。
瞬变：
抑制手段和偏置电源瞬变而施加偏压。使用屏蔽信号和偏置
电缆，以减少电感回升。
常规处置：
处理随着真空夹头或用锋利的一对弯曲的镊子的边缘的芯片。该
在芯片的表面具有脆弱的空气桥和不应该与真空夹头，镊子或手指触摸。
MOUNTING
该芯片是背面金属化和可模安装有金锡共晶坯或用导电环氧树脂。
安装面应洁净，平整。
共晶芯片粘接：
80/20金锡预成型件，建议用255 ℃的工作表面温度。 C和一个
265度的模具温度。 C.当热90/10氮气/氢气应用，刀尖温度应为290
度。 C.做芯片不暴露在温度高于320度。下超过20秒。不超过
应所需的附着洗涤3秒。
环氧树脂模具附件：
适用的环氧树脂的最小量到安装表面，使得薄的环氧树脂圆角观察
围绕芯片的周边，一旦它被放置到的位置。治愈按照制造商的时间表环氧树脂。
引线键合
球或楔形接合用0.025毫米（ 1密耳）直径纯金线。热超声引线键合，其标称阶段
温度为150度。 C和40 50克或18的楔焊力到22克的球的结合力是
推荐使用。使用超声波能量的最低水平，以达到可靠的引线接合。焊线应该是
开始在芯片上并终止在封装或基板上。所有键应该是尽可能的短<0.31毫米
（12密耳）。
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