HMC341
v01.1007
砷化镓MMIC低噪声
放大器， 24 - 30 GHz的
1
低噪声放大器 - CHIP
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
这片被AC耦合，匹配50欧姆。
接口示意图
2
RFOUT
这片被AC耦合，匹配50欧姆。
3
VDD
电源为2级放大器。外部射频旁路电容
100器 - 300 pF的需要。键长为电容应
是尽可能地短。电容器的接地侧应
连接到所述外壳接地。
装配图
1 - 12
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20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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