位置:首页 > IC型号导航 > 首字符0型号页 > 首字符0的型号第146页 > 0402YY103K2700J > 0402YY103K2700J PDF资料 > 0402YY103K2700J PDF资料2第39页

概述
趋向于去岁电容,这就是为什么重读capac-的
12或24小时后itance被允许在军用规范
已经执行后的介电强度测试系统蒸发散。
影响机械应力 -
高“ K”介
陶瓷电容器表现出一些低级别的压电
机械应力作用下的反应。作为一般的说法,
压电输出较高时,电介质的高
恒陶瓷的。理想的是调查此
采用高“K”作为电介质电容耦合效应前
器在极低水平的应用。
可靠性 -
历史上的陶瓷电容过一个
最可靠的类型目前使用的电容器。
对于陶瓷的可靠性的近似式
电容:
L
o
=
L
t
V
t
V
o
X
老化率的典型曲线
X7R电介质
+1.5
0
静电容量变化百分比
-1.5
T
t
T
o
Y
-3.0
-4.5
-6.0
-7.5
1
10
100
1000 10,000 100,000
小时
哪里
L
o
=工作生活
L
t
=测试生活
V
t
- 测试电压
V
o
工作电压
T
t
=测试温度和
T
o
工作温度
以°C
X,Y
=见文
历史上的陶瓷电容器指数X已
视为3.指数y的温度效应
通常往往运行约8 。
电容器是一个组件,它是能够存储
电能。它由两个导电板( elec-
trodes )由绝缘材料隔开这就是所谓的
电介质。一个典型的公式确定电容为:
特征
C0G ( NP0 )
X7R
Z5U
Y5V
马克斯。老化率% /十年
无
2
3
5
图6
影响频率 -
高频电容的影响
和电容器的阻抗特性。这种效果是
更为显着的高介电常数陶瓷
配方是低钾配方。 AVX的SpiCap软
洁具产生阻抗, ESR ,串联电感系列
谐振频率和电容都为频功能
昆西,温度和DC偏压为标准的芯片尺寸
和风格。它是免费的AVX 。
C = 0.224 KA
t
C
=电容(皮法)
K
=介电常数(真空= 1)
A
=面积平方英寸
t
以英寸为单位的极板之间=分离
(介质厚度)
.224
=常数转换
( 0.0884为公制单位:cm )
电容 -
电容的标准单位是
法拉。电容器具有1法拉1时的电容
库仑充电到1伏。其中法拉是一个非常大的单位
和大多数电容器具有在微值(10
-6
) ,纳米
(10
-9
)或微微( 10
-12
)法拉级。
介电常数 -
在给定的公式电容
真空的介电常数以上是任意CHO-
其它材料如森数1.电介质常数
然后相对于真空的介电常数。
电介质厚度 -
电容是间接的比例
佐丹奴国的电极之间的距离。较低的电压
要求意味着更薄的介质和更高的电容
单位体积的距离。
区 -
电容成正比的面积
的电极。因为方程中的其它变量
通常是由期望的性能而设定的,面积是最简单的
参数的修改,以获取一个特定的电容
材料组。
38